时间：2025/8/6 9:56:34
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IXFH10N100P 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的高电压、高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 HEXFET 系列。该器件专为需要高电压阻断能力、高效率和高可靠性的电源转换和功率控制应用而设计。IXFH10N100P 采用先进的平面 DMOS 技术，具有较低的导通电阻和出色的热性能，适用于工业电源、电机控制、UPS 系统、太阳能逆变器和高功率开关电源等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：1000V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID@TC=100°C）：9.3A
峰值漏极电流（IDM）：37A
导通电阻（RDS(on)）：0.72Ω（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
功率耗散（PD）：310W
热阻（RθJC）：0.4°C/W
IXFH10N100P 的主要特性包括其高耐压能力和优化的导通电阻，使得在高电压应用中能够实现较高的能效。其先进的 HEXFET 技术确保了较低的开关损耗和导通损耗，从而提升了整体系统的效率。
此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了器件的可靠性和使用寿命。其 TO-247AC 封装形式具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，能够承受高能脉冲和瞬态过电压，适用于高可靠性和高要求的工业环境。
此外，IXFH10N100P 的封装设计与大多数标准功率 MOSFET 插座兼容，便于在现有设计中进行替换或升级，无需进行较大的电路板改动。其高耐压能力和良好的热管理特性，使其在高电压 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、工业电机控制和可再生能源系统中表现出色。
IXFH10N100P 广泛应用于需要高电压操作和高效率的电力电子系统中。典型应用包括工业开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、高频转换器、高压 DC-DC 转换器以及高功率 LED 驱动电路。
由于其高耐压特性和低导通电阻，该 MOSFET 特别适合用于 Boost 电路、PFC（功率因数校正）电路以及高压逆变器拓扑中。在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电系统中，IXFH10N100P 也常用于主开关电路中，以提供稳定的高压开关性能。
此外，该器件还适用于需要高可靠性的工业自动化设备、测试设备和电源管理系统。其良好的抗瞬态过载能力使其在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。
IXFH10N100T, IRFHV10N100PBF, STF10N100PM, FGH10N100P
