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SIS414DN-T1-GE3 发布时间 时间:2025/12/24 4:43:04 查看 阅读:23

SIS414DN-T1-GE3 是一款高性能的双通道数字隔离器,由 Silicon Labs 公司生产。该器件基于 CMOS 技术和芯片级变压器,能够在两个电气隔离的电路之间传输数字信号,同时阻断共模干扰和高电压。这种隔离器广泛应用于工业自动化、医疗设备、通信系统以及其他需要电气隔离的应用场景。
  该型号支持多种输入输出逻辑电平,并提供增强的电磁兼容性 (EMC) 性能。此外,它还具有低功耗、高速度和高可靠性等优点,非常适合对信号完整性和安全性要求较高的场合。

参数

工作电源电压:2.5V 至 5.5V
  最大数据速率:150 Mbps
  典型传播延迟:8 ns
  共模瞬态抗扰度:±25 kV/μs
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-8
  隔离额定值:3 kVrms
  工作电流(每通道):1.6 mA

特性

SIS414DN-T1-GE3 提供双通道隔离功能,每个通道可以独立配置为输入或输出方向。
  其采用 Silicon Labs 的先进隔离技术,确保在高频和恶劣环境下的稳定性能。
  该芯片内置故障保护机制,在信号丢失时能够自动进入安全状态。
  支持宽范围的工作电压,适应不同系统需求。
  具备超低辐射和优异的 EMC 特性,减少对外部环境的干扰。
  其小型化的 SOIC-8 封装节省了 PCB 空间,便于设计集成。
  适用于需要长寿命和高可靠性的工业与医疗应用。

应用

SIS414DN-T1-GE3 主要用于需要电气隔离的数字信号传输场景,例如:
  工业自动化中的传感器接口和控制器通信。
  医疗设备中的患者监护仪器和诊断装置。
  电力系统中的智能电网组件和电机驱动控制。
  通信网络中的数据链路和信号调理模块。
  消费类电子产品的 USB 隔离和音频信号处理。
  汽车电子中的信息娱乐系统和电池管理系统 (BMS)。

替代型号

SIS414DN-T1-GA3
  SIS414DN-T1-GB3
  SIS414DN-T1-GC3

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SIS414DN-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 10A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds795pF @ 15V
  • 功率 - 最大31W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? 1212-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SIS414DN-T1-GE3TR