时间：2025/8/2 7:47:55
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SIS407ADN-T1-GE3 是一款由 Vishay Semiconductors（威世半导体）制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高性能电源管理应用而设计，适用于需要高可靠性和高效率的场合，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统等。SIS407ADN-T1-GE3 采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻和优良的热性能，能够在高电流条件下稳定工作。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 (VDS)：-30 V
栅源电压 (VGS)：±20 V
连续漏极电流 (ID)：-7.4 A
导通电阻 (RDS(on))：22 mΩ @ VGS = -10 V，30 mΩ @ VGS = -4.5 V
功率耗散 (PD)：1.4 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSOP（表面贴装）
引脚数：8
SIS407ADN-T1-GE3 的关键特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流条件下能够减少功率损耗并提高整体效率。其导通电阻在 -10 V 栅极电压下仅为 22 mΩ，在 -4.5 V 下也保持在 30 mΩ 的低水平，这使其非常适合用于电池供电设备和节能型电源转换器。
该器件采用了 Vishay 的沟槽技术，优化了载流能力和热管理性能，从而提高了器件的可靠性和耐用性。此外，SIS407ADN-T1-GE3 的最大漏源电压为 -30 V，允许其在多种中低压应用中使用，例如笔记本电脑电源管理、DC-DC 转换器、负载开关等。
该 MOSFET 支持 ±20 V 的栅极电压，具有较高的驱动兼容性，可以与多种控制器或驱动器配合使用。其连续漏极电流为 -7.4 A，能够支持较高的负载需求，同时其表面贴装的 TSOP 封装形式有助于节省 PCB 空间，适用于紧凑型电子设备的设计。
此外，SIS407ADN-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛环境条件下的稳定运行，如工业控制系统、汽车电子、便携式消费电子产品等。其功率耗散能力为 1.4 W，具备良好的散热能力，确保长时间工作下的稳定性。
SIS407ADN-T1-GE3 主要应用于中低压功率管理领域。例如，在笔记本电脑和便携式设备中，它常用于电池供电系统的负载开关和 DC-DC 转换器，以提高能源利用效率并延长电池续航时间。
在电源管理系统中，该 MOSFET 可用于同步整流、电源分配和过载保护等功能，提供高效的电能转换和稳定的电流控制。此外，它也广泛应用于工业控制设备、智能电表、嵌入式系统等需要高效电源管理的场景。
由于其具备良好的导通性能和高可靠性，SIS407ADN-T1-GE3 也可用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制系统和车载娱乐系统中的电源管理模块。其紧凑的 TSOP 封装形式也有助于在有限空间内实现高性能的电路设计。
Si4435DY-T1-GE3, IRML2803, BSC010N03MS, FDC640P
