您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3 发布时间 时间:2025/5/29 22:14:41 查看 阅读:5

SIRA62DP-T1-RE3 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业变频器、逆变焊机以及新能源汽车等领域。该模块采用先进的封装技术,具有高可靠性、低开关损耗和出色的热性能。其内部集成有快速恢复二极管,能够有效提升电路效率并降低电磁干扰。
  该型号属于第六代 IGBT 系列产品,具备更小的导通压降和更快的开关速度,适合需要高效能与紧凑设计的应用场景。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:600A
  导通压降:1.8V
  开关频率:最高 15kHz
  结温范围:-40℃ 至 +150℃
  封装形式:DPAK

特性

SIRA62DP-T1-RE3 的主要特性包括:
  1. 高效的功率转换能力,能够显著降低能耗。
  2. 内置优化设计的快速恢复二极管,确保在高频应用中的稳定性。
  3. 出色的短路耐受能力,能够在极端条件下提供额外保护。
  4. 小尺寸封装设计,便于集成到空间受限的系统中。
  5. 支持多种驱动模式,灵活性强。
  6. 热阻较低,有助于提高散热效率,延长器件寿命。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 工业电机驱动及变频控制。
  2. 新能源车辆中的 DC/DC 转换器和逆变器。
  3. 太阳能光伏逆变器以及其他可再生能源发电系统。
  4. 焊接设备及电源供应器。
  5. 高性能 UPS 和其他电力电子装置。

替代型号

SIRA62DP-T2-RE3, SIRA62DP-H1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SIRA62DP-T1-RE3参数

  • 现有数量770现货
  • 价格1 : ¥11.13000剪切带(CT)3,000 : ¥4.73297卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)51.4A(Ta),80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)93 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+16V,-12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4460 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5.2W(Ta),65.7W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8