SIRA62DP-T1-RE3 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业变频器、逆变焊机以及新能源汽车等领域。该模块采用先进的封装技术,具有高可靠性、低开关损耗和出色的热性能。其内部集成有快速恢复二极管,能够有效提升电路效率并降低电磁干扰。
该型号属于第六代 IGBT 系列产品,具备更小的导通压降和更快的开关速度,适合需要高效能与紧凑设计的应用场景。
额定电压:1200V
额定电流:600A
导通压降:1.8V
开关频率:最高 15kHz
结温范围:-40℃ 至 +150℃
封装形式:DPAK
SIRA62DP-T1-RE3 的主要特性包括:
1. 高效的功率转换能力,能够显著降低能耗。
2. 内置优化设计的快速恢复二极管,确保在高频应用中的稳定性。
3. 出色的短路耐受能力,能够在极端条件下提供额外保护。
4. 小尺寸封装设计,便于集成到空间受限的系统中。
5. 支持多种驱动模式,灵活性强。
6. 热阻较低,有助于提高散热效率,延长器件寿命。
该芯片适用于以下领域:
1. 工业电机驱动及变频控制。
2. 新能源车辆中的 DC/DC 转换器和逆变器。
3. 太阳能光伏逆变器以及其他可再生能源发电系统。
4. 焊接设备及电源供应器。
5. 高性能 UPS 和其他电力电子装置。
SIRA62DP-T2-RE3, SIRA62DP-H1-RE3