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SIRA50ADP-T1-RE3 发布时间 时间:2025/5/28 9:04:28 查看 阅读:20

SIRA50ADP-T1-RE3 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业和汽车领域中的功率转换系统。该器件采用了先进的封装技术,具有高电流承载能力和出色的热性能。其主要用途包括电机驱动、太阳能逆变器以及不间断电源(UPS)等。此型号属于第六代 IGBT 技术,具备低开关损耗和导通损耗的特点,能够显著提高系统的效率。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:50A
  集电极-发射极饱和电压:1.4V
  门极电荷:160nC
  开关频率:最高 20kHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃

特性

SIRA50ADP-T1-RE3 具有以下关键特性:
  1. 高效的热管理设计,确保在高功率应用中保持稳定的性能。
  2. 低开关损耗和导通损耗,有助于减少能量损失并提升整体效率。
  3. 内置快速恢复二极管,支持更高的电流反向流动能力。
  4. 紧凑的封装形式,便于集成到各种功率电子设备中。
  5. 出色的短路耐受能力,增强系统可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合长期使用。

应用

该 IGBT 模块适用于多种功率电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 工业电机驱动,用于控制交流感应电机的速度和扭矩。
  2. 太阳能逆变器,将光伏电池板产生的直流电转换为交流电。
  3. 不间断电源(UPS),提供稳定的电力供应以保护敏感设备。
  4. 电动汽车牵引逆变器,助力电动车高效运行。
  5. 焊接设备和感应加热装置,满足不同工业加工需求。

替代型号

SIRA50ADP-T1-RE7
  SIRA50ADP_T1-RE6

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SIRA50ADP-T1-RE3参数

  • 现有数量1,220现货
  • 价格1 : ¥12.64000剪切带(CT)3,000 : ¥5.78098卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)54.8A(Ta),219A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.04 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+20V,-16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7300 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.25W(Ta),100W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8