时间：2025/6/5 21:30:43
阅读：8
SIRA18DP-T1-GE3-G 是一款基于硅材料的高性能整流二极管，采用 TO-252 封装形式。该器件适用于高效率电源转换电路和电机驱动电路中的整流和续流功能。它具有低正向电压降、快速恢复特性和高浪涌电流能力等特点，广泛应用于开关电源、逆变器和工业控制等领域。
该型号属于 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 SIR 系列二极管产品线，专为高频应用而设计。
最大重复峰值反向电压：60V
最大直流阻断电压：50V
最大平均正向整流电流：18A
最大峰值正向浪涌电流：240A
典型正向电压降：1.1V
最大功耗：270W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-252
SIRA18DP-T1-GE3-G 采用了先进的制造工艺，确保了其卓越的电气性能。
1. 低正向压降使得导通损耗更低，从而提高了整体系统效率。
2. 快速恢复特性使其非常适合高频开关应用，能够有效减少开关损耗。
3. 高浪涌电流能力增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
4. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下保持稳定运行。
5. TO-252 封装提供了良好的散热性能和机械强度，便于表面贴装工艺。
该二极管主要应用于需要高效整流和续流的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的输出整流。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的电源管理部分。
5. 汽车电子系统中的辅助电源单元。
SIRA18DP-T1-GE3-G 的高性能和可靠性使其成为这些应用的理想选择。
SIRA18DP-T1-GE3-J,SIRA18DP-T1-GE3-W
