时间：2025/8/29 18:21:50
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SIR91-21C/TR7 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效开关和功率管理的电子电路中。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于各种高频率、高效率的功率转换应用。SIR91-21C/TR7 采用 SOT-223 封装形式，便于散热和集成于紧凑型电路设计中。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
最大漏极电流 Id：6.3A
导通电阻 Rds(on)：0.035Ω @ Vgs=10V
栅极电压 Vgs：±20V
功耗：1.6W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-223
SIR91-21C/TR7 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这一特性使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。该器件的沟槽式结构优化了电流的流动路径，减少了内部电阻并提高了热稳定性。
此外，SIR91-21C/TR7 的快速开关特性使其适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机控制电路等应用。其栅极驱动要求较低，能够减少控制器的负担，同时实现快速的开启和关闭，降低开关损耗。
该 MOSFET 还具有良好的热性能，SOT-223 封装设计提供了较大的散热面积，能够有效传导和散发工作过程中产生的热量，从而提高器件的可靠性和使用寿命。
在电气特性方面，SIR91-21C/TR7 的最大漏源电压为 60V，最大漏极电流为 6.3A，能够在中等功率范围内提供出色的性能。其栅极电压范围为 ±20V，确保了在各种控制条件下都能稳定工作。
SIR91-21C/TR7 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。例如，在电源管理系统中，该器件可用于 DC-DC 转换器和同步整流器，以提高能量转换效率并减小电路体积。其低导通电阻和快速开关特性特别适合于高频率开关电源的设计。
在电机控制领域，SIR91-21C/TR7 可作为 H 桥电路中的功率开关，实现对直流电机或步进电机的高效驱动和精确控制。由于其高电流承载能力和良好的热稳定性，适合用于工业自动化和机器人系统中的电机控制模块。
此外，该 MOSFET 也可用于电池管理系统，例如在锂离子电池的充放电保护电路中，作为主开关器件使用。其低导通损耗特性有助于延长电池的使用时间，并提高系统的整体能效。
在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块中，SIR91-21C/TR7 也可作为高效的功率开关，实现对各种子系统的电源控制。
Si9410BDY-E3-ND, IRF7413TRPBF, FDS6680, AO4406A
