类型：固定输出LDO
　　输出电压：1.0V（±2%精度）
　　最大输出电流：150mA
　　输入电压范围：1.7V ~ 5.5V
　　压差电压：典型值110mV（@ IOUT=100mA）
　　静态电流：典型值6μA
　　关断电流：≤0.1μA
　　负载调整率：±10mV（全负载范围内）
　　线路调整率：±30mV（输入变化时）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装形式：S-SON4（1.6mm x 1.6mm）
　　是否环保：符合RoHS指令，不含铅（Pb-free）

BD4210EKN-E2具备多项先进特性，使其成为现代低功耗电子系统中的理想电源管理解决方案。首先，其超低静态电流（仅6μA）显著降低了待机模式下的能耗，这对于依赖电池供电且要求长续航时间的设备至关重要。即使在轻载或空载状态下，该LDO也能维持高效运行，避免不必要的能量浪费。其次，该器件采用了高增益、低失调的误差放大器结构，配合内部精密反馈网络，实现了±2%的输出电压精度，确保在整个工作温度和负载范围内都能提供稳定的电压输出。
　　另一个关键特性是其优异的瞬态响应能力。当负载电流发生突变时，BD4210EKN-E2能够迅速调整驱动晶体管的工作状态，将输出电压波动控制在极小范围内，从而保障后级数字电路（如MCU、传感器或RF模块）的正常运行。这一特性得益于其内部频率补偿设计和对输出电容ESR的优化兼容性，允许使用低ESR的陶瓷电容（通常推荐1μF以上），进一步提升动态性能并减少外部元件数量。
　　该LDO还内置了完整的保护机制。过流保护功能可在输出短路或过载时自动限制电流，防止芯片损坏；热关断电路则在结温超过安全阈值（通常约150°C）时关闭输出，待温度下降后自动恢复，增强了系统的可靠性。此外，BD4210EKN-E2具备反向电流阻断功能，在输入电压突然下降或断开时可阻止电流从输出端倒灌回输入端，保护上游电源路径。这些集成的安全功能不仅提高了系统稳定性，也减少了对外部保护元件的需求，简化了PCB布局与设计复杂度。

BD4210EKN-E2广泛应用于各类对电源效率、体积和稳定性有严苛要求的便携式电子产品中。在移动通信设备领域，常用于为基带处理器、Wi-Fi/蓝牙模块、摄像头模组等子系统提供干净、稳定的低压电源。由于其输出电压为1.0V，正好满足许多先进制程IC（如深亚微米逻辑芯片）的核心供电需求，因此在智能手机和平板电脑中扮演着重要角色。
　　在物联网（IoT）设备中，例如无线传感器节点、智能手环、电子标签等，BD4210EKN-E2凭借其超低静态电流和小型封装优势，成为电池管理系统中的关键组件，帮助实现长时间待机和间歇式工作模式下的高效供电。此外，该器件也适用于医疗电子设备，如便携式血糖仪、心率监测器等，这些应用对电源噪声极为敏感，而BD4210EKN-E2的低噪声特性和高PSRR（电源抑制比）能够有效抑制来自前级电源的干扰，保证模拟信号链的准确性。
　　工业控制和消费类电子产品中，该LDO可用于为微控制器单元（MCU）、实时时钟（RTC）、存储器芯片或接口电路提供辅助电源。特别是在多电压轨系统中，BD4210EKN-E2可以作为二级稳压器，将主电源（如3.3V或5V）降压至核心逻辑所需的1.0V，同时隔离噪声传播。其S-SON4封装具有较小的占板面积和良好的热性能，非常适合高密度贴装环境。总体而言，BD4210EKN-E2是一款高性能、高可靠性的低压差稳压器，适用于各种追求小型化、低功耗和高稳定性的现代电子系统。

BD4210G