时间：2025/5/9 13:06:03
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SIR846ADP-T1-GE3是一款由Vishay公司生产的MOSFET功率晶体管，采用TrenchFET? Gen III技术。该器件属于逻辑电平增强型N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。
此型号的封装形式为DFN8（3x3mm），能够提供出色的热性能和电气性能，非常适合用于空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
总栅极电荷：29nC（典型值）
输入电容：1580pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
SIR846ADP-T1-GE3采用了先进的TrenchFET? Gen III技术，具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，在高电流应用中减少功耗。
2. 高效的开关性能，适合高频DC-DC转换器。
3. 小尺寸DFN8封装，节省PCB空间。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 支持高电流负载，适用于多种功率应用场合。
这款MOSFET广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 便携式设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
3. 电池管理系统（BMS）。
4. 固态继电器和电机驱动电路。
5. 通信设备中的电源管理模块。
6. 汽车电子系统中的功率控制单元。
SIR846ANPBF, SiRA84DP, SIR846DN
