类型：功率MOSFET
　　封装：TO-220
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.8mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　功率耗散：200W
　　技术：N沟道增强型MOSFET

SIR8313C是一款高性能的功率MOSFET，其核心特性在于低导通电阻（RDS(on)），这一参数决定了其在导通状态下的功率损耗水平。该器件的RDS(on)值小于或等于3.8毫欧，显著降低了在高电流应用中的导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，SIR8313C能够承受高达100A的连续漏极电流，具备强大的电流处理能力，适用于高功率密度的设计。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，能够在高功率应用中保持较低的工作温度，从而提高器件的稳定性和可靠性。SIR8313C的栅极驱动电压范围为±20V，确保在不同驱动电路中具有良好的兼容性。该器件的工作温度范围宽广，从-55°C到+175°C，适合在各种环境条件下运行，包括高温工业环境和低温户外设备。SIR8313C还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了其在严苛工作条件下的稳定性和寿命。

SIR8313C广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、逆变器以及工业自动化设备。在开关电源中，SIR8313C用于高效率的功率转换，实现较高的能量利用率。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和高电流能力有助于提高转换效率并减少热量产生。在电机控制和电池管理系统中，SIR8313C可用于高侧或低侧开关，实现精确的电流控制和保护功能。此外，该器件也适用于需要高可靠性和高稳定性的工业自动化和控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器。由于其强大的电流承载能力和良好的热管理性能，SIR8313C也可用于高功率LED照明驱动和太阳能逆变器等新兴应用领域。

Si9810BDY-T1-E3、IRF1405、IRF3710、IPB090N06N3G