型号：SIR72105FOA21
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：PowerPAK SO-8L
　　漏源电压 VDS：30 V
　　栅源电压 VGS：±20 V
　　连续漏极电流 ID：21 A
　　脉冲漏极电流 IDM：84 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10 V：6.7 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：8.5 mΩ
　　栅极电荷 Qg typ：14 nC
　　输入电容 Ciss typ：890 pF
　　开启延迟时间 td(on) typ：7 ns
　　关断延迟时间 td(off) typ：19 ns
　　工作结温范围 TJ：-55 °C 至 +150 °C
　　热阻结至环境 RθJA typ：45 °C/W
　　热阻结至外壳 RθJC typ：3.5 °C/W

SIR72105FOA21采用了Vishay先进的TrenchFET?沟槽型功率MOSFET工艺，这种工艺通过在硅片上构建垂直导电沟道来大幅降低单位面积的导通电阻，从而实现超低RDS(on)值。该器件在VGS = 10V时的最大导通电阻仅为6.7mΩ，在VGS = 4.5V时也仅为8.5mΩ，这使其在低电压大电流应用中表现出色，有效减少了功率损耗并提高了系统效率。得益于其极低的栅极电荷（典型值仅14nC），SIR72105FOA21在高频开关应用中展现出卓越的动态性能，显著降低了驱动损耗和开关过渡期间的能量消耗。
　　该器件的输入电容（Ciss）典型值为890pF，配合快速的开关响应时间（开启延迟约7ns，关断延迟约19ns），使其非常适合用于高频DC-DC变换器和同步整流拓扑中。此外，PowerPAK SO-8L封装不仅体积小巧（与标准SO-8兼容），还通过底部裸露焊盘实现了优异的散热性能，热阻结至外壳（RθJC）低至3.5°C/W，有助于将芯片产生的热量高效传导至PCB，提升整体热管理能力。该封装不含铅且符合RoHS标准，支持回流焊工艺，适合自动化生产。
　　SIR72105FOA21的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，保证了其在严苛环境下的可靠运行。其栅源电压额定值为±20V，具备良好的抗过压能力，同时内置的体二极管可承受一定的反向电流，适用于需要续流路径的应用场景。该器件还具有较低的反向恢复电荷（Qrr），进一步减小了在桥式电路中的交叉导通风险。综合来看，SIR72105FOA21凭借其低RDS(on)、低Qg、优异热性能和高可靠性，成为现代高效率电源设计中的关键组件。

SIR72105FOA21广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。其主要应用领域包括同步降压型DC-DC转换器，特别是在服务器、笔记本电脑和图形处理器等设备的多相电压调节模块（VRM）中，作为上下管开关使用，以实现高效率的能量转换。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件也常用于负载开关电路中，用于控制电源轨的通断，防止浪涌电流并对系统进行电源管理。
　　在电池供电设备如移动终端、平板电脑和便携式仪器中，SIR72105FOA21可用于电池保护电路或电源路径管理单元，提供高效的充放电控制。此外，它也被用于电机驱动电路中，尤其是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，作为主开关元件实现正反转和制动功能。在电信基础设施和网络设备中，该器件适用于中间总线转换器（IBC）和点负载（POL）转换器，支持高密度电源架构的设计需求。
　　工业控制系统中的电源模块、LED驱动电源以及热插拔控制器也是SIR72105FOA21的重要应用方向。其紧凑的封装形式使得PCB布局更加灵活，有助于缩小整体电源尺寸。同时，其良好的热稳定性使其能够在密闭或通风不良的环境中长期稳定运行。综上所述，SIR72105FOA21适用于所有追求高效率、高功率密度和高可靠性的低压大电流开关应用场合。

[
　　 "SiR721DP",
　　 "SiR711DP",
　　 "IRLHS6210",
　　 "SQJ974EP",
　　 "FDMS7610"
　　]