制造商：Murata
　　系列：CBG
　　产品状态：量产中
　　电容：1000pF (1nF)
　　容差：±2%
　　额定电压：100V
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　外壳尺寸：4532（公制），1812（英制）
　　厚度：约1.5mm
　　电介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　最小包装数量：1000只/卷带
　　老化率：0%/decade（C0G特性）
　　ESR（等效串联电阻）：极低（典型值小于10mΩ，具体依频率而定）
　　自谐振频率（SRF）：约160MHz（取决于PCB布局）

CBG453215U102所采用的C0G（也称为NP0）电介质材料是目前最稳定的陶瓷材料之一，具备近乎理想的电容温度系数，其电容值在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）的变化不超过±30ppm/°C，这意味着无论环境温度如何波动，电容器的实际容量几乎不会发生可测量的偏移。这种极高的温度稳定性使其非常适合用于对频率响应要求极为严格的振荡器电路、滤波器网络和射频匹配电路中。此外，C0G材料还表现出极低的介电损耗（tanδ < 0.15%），确保了在高频应用下的高效能表现和最小的能量损耗，这对于提升系统整体效率和减少发热至关重要。
　　该器件的电气特性不随施加电压的变化而变化，即无直流偏压效应（DC Bias Effect），这是区别于X7R、X5R等高介电常数材料MLCC的关键优势。许多高K材料电容在接近额定电压时会出现显著的容量下降，而CBG453215U102即使在接近100V的工作电压下仍能维持标称容量不变，保证了设计的一致性和预测性。同时，它还具有极佳的频率响应特性，在几十MHz到数百MHz的频率区间内仍能保持良好的阻抗控制能力，适合作为高速数字系统的去耦电容或模拟前端的耦合元件。
　　结构上，CBG453215U102采用多层陶瓷堆叠技术，内部由数十甚至上百层交错排列的金属电极与陶瓷介质构成，这种设计不仅提高了单位体积内的有效电容面积，还大幅降低了等效串联电感（ESL），从而提升了自谐振频率（SRF）。结合其极低的ESR，使得该电容在高频噪声抑制方面表现出色，能够有效滤除开关电源产生的高频纹波或数字电路中的瞬态干扰。此外，外电极经过镍阻挡层和锡覆盖处理，增强了焊接可靠性和耐腐蚀能力，适用于回流焊和波峰焊等多种贴装工艺。

CBG453215U102因其卓越的电气稳定性和高频性能，被广泛应用于高性能模拟电路、射频通信模块、医疗电子设备、测试与测量仪器、航空航天电子系统以及工业自动化控制系统等领域。在射频电路中，它常用于LC调谐回路、阻抗匹配网络和带通滤波器中，作为关键的无源元件来确保信号路径的精确相位和幅度响应。由于其零温度系数和无老化特性，这类电容也被优先选用在精密参考电压电路、ADC/DAC缓冲电路和高精度传感器接口中，防止因电容漂移引入测量误差。
　　在电源管理系统中，尽管其容量仅为1nF，但在高频去耦场景下依然发挥重要作用，尤其是在为高速运算放大器、时钟发生器或FPGA的辅助电源引脚提供局部储能和噪声旁路时，能够快速响应瞬态电流需求，维持供电平稳。此外，该器件也常见于EMI/EMC滤波电路中，与其他元件配合组成π型或T型滤波网络，抑制高频电磁干扰传播，满足国际电磁兼容标准。由于其工作温度范围宽且可靠性高，CBG453215U102同样适用于恶劣环境下的户外通信设备、车载电子单元和能源基础设施中的监控模块。总之，凡是要求长期稳定性、低失真和高可靠性的电子系统，都是CBG453215U102的理想应用场景。