时间：2025/8/5 12:41:39
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IXTK22N100 是一款由 Littelfuse（前身为 International Rectifier）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合在电源转换、电机控制、DC-DC 转换器以及逆变器等电路中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：1000V
栅源电压 Vgs：±30V
连续漏极电流 Id：22A
功耗 PD：320W
导通电阻 Rds(on)：0.35Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
IXTK22N100 采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。其高耐压能力（1000V）使其非常适合用于高电压电源转换系统中。该器件的导通电阻较低（典型值为 0.35Ω），有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，该 MOSFET 具有良好的雪崩能量承受能力，能够在高能量瞬态条件下保持稳定运行。
该器件的 TO-247AC 封装形式具有良好的散热性能，适合在高功率密度应用中使用。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许使用标准的 MOSFET 驱动电路进行控制。在工作温度范围内（-55°C 至 +150°C），IXTK22N100 均能保持稳定的电气性能，适用于工业级和高可靠性应用场景。
IXTK22N100 主要应用于高电压和高功率电子系统中，例如：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、交流逆变器、电机控制电路、太阳能逆变器、电焊设备、感应加热设备以及高功率 LED 驱动器等。由于其高耐压能力和较低的导通损耗，它特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。
IXTK22N100PBF, IXTP22N100, STF22N10NM5, FCP22N10
