型号：SIR72104F00B200
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-9.7A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-32A
　　导通电阻（RDS(on)）：12.5mΩ（@VGS=-4.5V）；10.8mΩ（@VGS=-10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.85V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：605pF（@VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：345pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：100pF（@VDS=10V）
　　总栅极电荷（Qg）：12nC（@VGS=-10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：6ns
　　上升时间（tr）：28ns
　　关断延迟时间（td(off)）：20ns
　　下降时间（tf）：15ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

SIR72104F00B200具备出色的导通性能和开关响应能力，其核心优势在于极低的导通电阻，在VGS=-10V时典型值仅为10.8mΩ，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这一特性使其非常适合用于大电流路径中的功率开关，尤其是在电池供电设备中，有助于延长续航时间。器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，不仅提升了单位面积的电流承载能力，还有效降低了米勒电容效应，从而改善了高频开关时的稳定性与效率。
　　该MOSFET具有较低的总栅极电荷（Qg = 12nC），这意味着驱动电路所需提供的能量更少，能够与低压逻辑信号直接兼容，简化了驱动设计并降低了控制器的负载。其快速的开关时间（开启延迟6ns，上升时间28ns，关断延迟20ns）进一步增强了动态响应性能，适用于需要频繁启停或高速切换的应用场合，例如同步整流或脉宽调制（PWM）控制电路。
　　PowerPAK SO-8L封装提供了优异的热传导性能，底部带有裸露焊盘，可有效将热量传递至PCB，提升散热效率，使器件在高负载下依然保持较低的工作温度。该封装尺寸小巧（约3mm x 3mm），节省宝贵的PCB空间，非常适合高密度布局的设计需求。此外，器件经过严格的老化测试和可靠性验证，具备良好的抗湿性和长期稳定性，适用于工业级和消费类电子产品。
　　SIR72104F00B200还内置了一定程度的静电放电（ESD）保护能力，并具备较高的雪崩能量耐受水平，能够在电源反接、浪涌或短路等异常工况下提供一定的自我保护机制，增强整个电源系统的鲁棒性。其-55°C至+150°C的宽工作结温范围也保证了在恶劣环境下的可靠运行。

SIR72104F00B200广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电源管理电路中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载切换，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池隔离与电源路径管理。由于其低导通电阻和高电流能力，常被用作高边开关来控制主电源的通断，实现低功耗待机模式或热插拔功能。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流拓扑或作为辅助开关元件，提高转换效率并减少发热。它也常见于USB电源管理模块中，用于过流保护和端口电源控制，确保连接设备的安全供电。此外，在电机驱动、LED背光控制和电源冗余切换系统中，SIR72104F00B200也能发挥其快速响应和高可靠性的优势。
　　工业控制系统中的传感器电源管理、数据采集模块的通道切换以及嵌入式处理器的电源域控制也是其重要应用领域。得益于其小型封装和高集成度，该器件特别适合空间受限但对性能要求较高的设计。同时，其符合RoHS和无卤素标准，满足现代电子产品对环保法规的要求，适用于出口型或高端商用产品设计。

SiR721DP
　　AO4418
　　FDC6330L