时间：2025/9/28 18:07:50
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PM10RHS120是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高压硅功率MOSFET晶体管，专为高效率和高可靠性要求的电源转换应用而设计。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具有优化的电气性能，能够在高电压条件下实现低导通电阻和快速开关特性。PM10RHS120属于超级结MOSFET系列，这一系列器件通过创新的结构设计显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。该MOSFET的额定电压为1200V，连续漏极电流在25°C时可达10A，脉冲电流能力更高，适用于工业电机驱动、开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电设备等高压功率转换场合。器件封装采用TO-247形式，具备良好的热传导性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作。PM10RHS120还具备优秀的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，增强了其在实际应用中的鲁棒性与长期可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。由于其出色的动态和静态参数平衡，PM10RHS120成为中高端功率应用中的优选器件之一。
型号：PM10RHS120
制造商：STMicroelectronics
器件类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200 V
最大漏极电流（Id @ 25°C）：10 A
最大脉冲漏极电流（Idm）：36 A
最大栅源电压（Vgs）：±30 V
导通电阻（Rds(on) @ Vgs = 18V）：典型值 0.78 Ω，最大值 0.95 Ω
栅极电荷（Qg）：典型值 130 nC
输入电容（Ciss）：典型值 2400 pF
输出电容（Coss）：典型值 240 pF
反向恢复时间（trr）：典型值 45 ns
二极管正向电压（Vf）：1.65 V（@ If=8A）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
PM10RHS120采用ST先进的超级结（Super Junction）技术，实现了在1200V高耐压下极低的导通电阻，有效降低了导通损耗，提升了系统能效。该技术通过在漂移区精确掺杂P型柱状结构来平衡电场分布，从而在不牺牲击穿电压的前提下大幅减小Rds(on)，使得器件在高功率密度应用中表现优异。这种结构不仅提高了单位面积的电流承载能力，还改善了热稳定性，延长了器件寿命。
该MOSFET具备出色的开关性能，栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）均经过优化，有助于减少驱动损耗并加快开关速度，特别适合高频开关电源和逆变器应用。较低的输入和输出电容也减少了开关过程中的能量损耗，进一步提升效率。同时，器件内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr）和较低的反向恢复电荷（Qrr），可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统可靠性。
PM10RHS120具有优良的热性能，TO-247封装提供了较大的散热接触面，便于安装散热器，确保在高负载条件下稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够适应严苛的工业环境。此外，器件具备高抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
该器件还具备良好的栅极耐用性，支持±30V的栅源电压范围，提高了对驱动电路异常波动的容忍度。所有参数均在生产过程中经过严格测试，确保批次一致性。PM10RHS120符合国际安全标准和环保要求，适用于全球范围内的高可靠性电力电子系统设计。
PM10RHS120广泛应用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS），尤其是在大功率服务器电源、通信电源和医疗电源中，作为主开关器件使用，能够显著提升能效并缩小电源体积。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-AC转换级，在高直流母线电压下实现高效能量转换，支持更高的系统效率和更低的运行温度。
在电机驱动领域，特别是工业电机控制和变频器系统中，PM10RHS120可用于构建半桥或全桥拓扑结构，驱动感应电机或永磁同步电机，提供快速响应和稳定输出。其优异的开关特性和热稳定性使其在长时间高负载运行中仍能保持良好性能。
该器件也适用于不间断电源（UPS）系统，用于在线式或后备式UPS的逆变电路，确保市电中断时负载供电的无缝切换。此外，在电动汽车充电基础设施中，如交流充电桩和直流快充模块的辅助电源或功率因数校正（PFC）电路中，PM10RHS120也能发挥重要作用。
其他应用还包括高电压LED驱动电源、电焊机、感应加热设备以及各类高功率DC-DC转换器。由于其具备高耐压、低损耗和强鲁棒性，PM10RHS120是现代中高端功率转换系统中理想的功率开关选择。
STW10N120K5
Fairchild FCH10N120N
