时间：2025/8/29 17:40:01
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SIR67-21C 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各种高功率和高频开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、电池管理系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60 V
最大漏极电流（Id）：120 A
导通电阻（Rds(on)）：约 2.1 mΩ（在 Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：约 135 nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
最大功耗：320 W
SIR67-21C 的核心优势在于其卓越的导通性能和开关效率。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。该 MOSFET 采用了先进的沟槽结构设计，优化了电流流动路径，减少了电阻和热阻，提高了器件的热稳定性。此外，该器件具有较高的电流承载能力和耐压能力，适合在高功率应用场景中使用。
在开关性能方面，SIR67-21C 具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，提高了整体系统效率。同时，其内置的体二极管具备良好的反向恢复特性，进一步增强了其在高动态负载条件下的稳定性。
该器件还具备良好的热管理能力，采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有优异的热传导性能，便于散热设计，适用于高密度 PCB 布局。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。
SIR67-21C 被广泛应用于多种高功率电子系统中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS 系统以及各类高功率负载开关电路。由于其高电流能力和低导通电阻，它也常用于电源模块和工业自动化设备中，作为主开关或同步整流器件。此外，在电动汽车和储能系统中，SIR67-21C 可用于高压电池管理系统中的功率控制单元。
SiR686DP-T1-GE3, IRF1404, STD120N6F7, IPW90R120C3
