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PD414010 发布时间 时间:2025/8/7 5:48:14 查看 阅读:15

PD414010是一款由Panasonic(松下)公司生产的功率MOSFET,广泛用于高功率应用,如电源转换器、电机控制和工业设备中。这款MOSFET具备低导通电阻和高耐压特性,能够提供较高的效率和稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):100V
  漏极电流(ID):80A
  导通电阻(RDS(on)):10mΩ
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

PD414010具有极低的导通电阻,能够减少功率损耗并提高整体系统效率。其高耐压能力确保在高电压环境下稳定运行,同时具备良好的热稳定性,适合高温工作环境。此外,该器件采用了先进的封装技术,提供优异的散热性能,以确保长期可靠运行。
  该MOSFET还具备快速开关特性,适用于高频应用,减少开关损耗,并支持更高的开关频率,从而减小外围元件的尺寸。其耐用性强,能够承受较大的电流冲击,适用于工业级和高可靠性要求的应用场景。

应用

PD414010主要用于工业电源、直流-直流转换器、电机驱动、UPS(不间断电源)、电池管理系统和高功率负载控制等领域。由于其高效率和稳定性,该器件也常用于电动汽车、储能系统和可再生能源转换系统中。

替代型号

SiHF40N100DD-GE3

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PD414010参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2 : ¥6,844.86500散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对串联
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)4000 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)1100A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.35 V @ 3000 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)25 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 mA @ 4000 V
  • 工作温度 - 结-40°C ~ 150°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳POW-R-BLOK? 模块
  • 供应商器件封装POW-R-BLOK? 模块