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SIR626ADP-T1-RE3 发布时间 时间:2025/5/10 15:44:04 查看 阅读:4

SIR626ADP-T1-RE3 是一款基于 MOSFET 技术的超低导通电阻同步整流肖特基二极管。该器件专为高频开关电源、DC-DC 转换器以及便携式电子设备中的高效整流应用而设计。其采用了先进的封装技术,具备较低的正向压降和快速的反向恢复时间,从而显著降低功耗并提高系统效率。
  该器件具有高可靠性、优良的热性能和出色的浪涌电流能力,非常适合要求苛刻的电源管理场景。

参数

最大正向电压:40V
  最大反向恢复时间:40ns
  正向电流(IF):26A
  正向电压(VF):0.19V @ 26A
  结电容(Cj):150pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

SIR626ADP-T1-RE3 的主要特点是其超低的正向压降,这使得它在大电流应用中表现出色。此外,其快速的反向恢复时间确保了在高频开关条件下减少开关损耗。
  这款器件还具备以下优势:
  - 高效的能量转换,适用于绿色能源解决方案
  - 小型化封装,节省PCB空间
  - 具备优异的热稳定性和抗浪涌电流能力
  - 符合 RoHS 标准,环保且可靠
  这些特点使其成为现代功率转换电路的理想选择。

应用

SIR626ADP-T1-RE3 广泛应用于各种需要高效整流的场合,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源 (SMPS) 中的次级整流
  - DC-DC 转换器
  - 电池充电器
  - 工业自动化及通信设备中的电源模块
  - 汽车电子系统中的高频整流
  由于其高性能表现,该二极管特别适合于对能效和热性能有严格要求的应用环境。

替代型号

SIR626ADP-T1-E3, SIR62ADP, SR626ADP

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SIR626ADP-T1-RE3参数

  • 现有数量26,337现货
  • 价格1 : ¥16.38000剪切带(CT)3,000 : ¥7.50063卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40.4A(Ta),165A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.75 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)83 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3770 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.25W(Ta),104W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8