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SIR464DP-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/3 11:02:41 查看 阅读:7

SIR464DP-T1-GE3 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管,属于 Infineon(英飞凌)推出的 OptiMOS 系列。该器件采用先进的制造工艺,具有极低的导通电阻和高效率的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源等领域。
  其封装形式为 DPAK (TO-252),并支持表面贴装技术 (SMD),适合自动化生产。此型号经过优化设计,可显著降低功耗并提高系统性能。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压 (VDS):60V
  最大栅源电压 (VGS):±20V
  连续漏极电流 (ID):49A
  导通电阻 (RDS(on)):3.8mΩ
  栅极电荷 (Qg):34nC
  总热阻 (Rth(j-a)):40°C/W
  工作温度范围:-55°C to +175°C

特性

SIR464DP-T1-GE3 提供了出色的电气性能和可靠性,主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻 (3.8mΩ),从而减少功率损耗。
  2. 高额定电流能力 (49A),适用于大功率应用。
  3. 快速开关速度和低栅极电荷 (34nC),有助于提升效率并减少开关损耗。
  4. 耐雪崩能力,增强了器件在异常条件下的稳健性。
  5. 宽广的工作温度范围 (-55°C 到 +175°C),确保在极端环境下的稳定性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。

应用

这款 MOSFET 器件非常适合需要高效能和高可靠性的场景,典型应用领域如下:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 汽车电子系统中的电源管理模块。
  5. 太阳能逆变器和其他绿色能源相关设备。
  6. 通信基础设施中的电信电源单元。

替代型号

SIR464DP,
  SIR464DP-07-E,
  SIR464DP_T1_GE3,
  Infineon 同系列其他版本如 IRFH5010TRPbF

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SIR464DP-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.1 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3545pF @ 15V
  • 功率 - 最大69W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SIR464DP-T1-GE3TR