时间：2025/6/3 11:02:41
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SIR464DP-T1-GE3 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，属于 Infineon（英飞凌）推出的 OptiMOS 系列。该器件采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和高效率的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源等领域。
其封装形式为 DPAK (TO-252)，并支持表面贴装技术 (SMD)，适合自动化生产。此型号经过优化设计，可显著降低功耗并提高系统性能。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：60V
最大栅源电压 (VGS)：±20V
连续漏极电流 (ID)：49A
导通电阻 (RDS(on))：3.8mΩ
栅极电荷 (Qg)：34nC
总热阻 (Rth(j-a))：40°C/W
工作温度范围：-55°C to +175°C
SIR464DP-T1-GE3 提供了出色的电气性能和可靠性，主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (3.8mΩ)，从而减少功率损耗。
2. 高额定电流能力 (49A)，适用于大功率应用。
3. 快速开关速度和低栅极电荷 (34nC)，有助于提升效率并减少开关损耗。
4. 耐雪崩能力，增强了器件在异常条件下的稳健性。
5. 宽广的工作温度范围 (-55°C 到 +175°C)，确保在极端环境下的稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
这款 MOSFET 器件非常适合需要高效能和高可靠性的场景，典型应用领域如下：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的电源管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他绿色能源相关设备。
6. 通信基础设施中的电信电源单元。
SIR464DP,
SIR464DP-07-E,
SIR464DP_T1_GE3,
Infineon 同系列其他版本如 IRFH5010TRPbF
