您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/16 16:49:37 查看 阅读:4

SIR438DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的功率肖特基整流器,采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件专为高频开关应用设计,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,能够显著提升效率并降低功耗。
  该芯片主要应用于消费电子、通信设备及工业领域中的高效电源转换电路中。

参数

最大 repetitive peak reverse voltage:40V
  最大 average rectified output current:3A
  典型 forward voltage at rated current:0.37V
  最大 power dissipation:22W
  结温范围:-55℃ to +175℃
  热阻 (Junction to Ambient):40°C/W

特性

SIR438DP-T1-GE3 芯片具备优异的性能特点:
  1. 低正向电压降(VF),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速恢复时间,确保在高频工作条件下保持良好的性能。
  3. 高浪涌电流能力,使其能够在严苛的工作环境下可靠运行。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅封装。
  5. 具有出色的热稳定性,支持高结温操作,适用于高温环境下的应用。
  6. 紧凑型表面贴装封装,便于自动化装配并节省 PCB 空间。

应用

该芯片广泛用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的续流二极管或输出整流器。
  2. DC/DC 转换器和 POL 转换器中的同步整流。
  3. 电机驱动电路中的 freewheeling 保护。
  4. 可再生能源系统,如太阳能逆变器中的隔离二极管。
  5. 汽车电子中的负载突降保护电路以及各种保护功能。

替代型号

SIR438DPTR, SIR438DP-E3, VS-40PM30T-E3

SIR438DP-T1-GE3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SIR438DP-T1-GE3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SIR438DP-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs105nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4560pF @ 10V
  • 功率 - 最大83W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? SO-8
  • 包装带卷 (TR)