GS8742-SR 是一款高性能、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片具有高速读写能力,适用于需要快速数据访问和存储的应用场景。其设计采用了先进的工艺技术,确保了在广泛的温度范围和电压条件下的稳定性和可靠性。
GS8742-SR 的主要特点包括高集成度、低功耗以及简单的接口逻辑,使其非常适合嵌入式系统、工业控制、通信设备和其他对速度和可靠性要求较高的应用。
存储容量:512K x 16 bits
工作电压:1.7V 至 3.6V
访问时间:10ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:TQFP-100
数据保留时间:无限
静态电流:10mA(典型值)
动态电流:100mA(典型值)
GS8742-SR 具有以下显著特性:
1. 高速性能:支持高达 10ns 的访问时间,满足高速数据处理需求。
2. 低功耗设计:在待机模式下功耗极低,非常适合电池供电设备。
3. 宽电压范围:支持从 1.7V 到 3.6V 的工作电压,增强了灵活性。
4. 高可靠性:能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定工作。
5. 简单易用的接口:兼容标准 SRAM 接口协议,便于集成到现有系统中。
6. 数据保留:即使在断电情况下,数据也不会丢失,确保系统的数据完整性。
GS8742-SR 广泛应用于各种需要高速存储和可靠数据访问的领域:
1. 嵌入式系统:如工业控制器、医疗设备等。
2. 通信设备:例如路由器、交换机和其他网络设备。
3. 消费电子:如数字电视、游戏机等需要大容量高速缓存的设备。
4. 汽车电子:用于车载信息娱乐系统、导航设备等。
5. 工业自动化:在 PLC 和其他实时控制系统中提供临时数据存储功能。
IS61WV51216BLL-10TI, CY7C1041DV33-10SC