时间：2025/8/29 1:39:10
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SIR383是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率和高频开关应用中。该器件采用了先进的TrenchFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电设备等多种电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：225W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220AB
SIR383具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中表现出色，减少了导通损耗并提高了整体系统效率。该MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，使得器件在高频工作条件下具有出色的性能，适用于高频开关电路。此外，SIR383具备较高的热稳定性和可靠性，能够在高功率密度和高温环境下稳定运行。
SIR383的封装设计使其易于安装和散热管理，适用于多种电路板布局。其快速的开关特性降低了开关损耗，提高了系统的响应速度和效率。同时，该器件具备较强的过载和短路承受能力，在复杂工况下仍能保持稳定工作。
在电气特性方面，SIR383的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，适用于多种驱动电路设计。其低阈值电压特性也使得器件在低电压控制电路中表现优异。
SIR383主要用于高功率和高频开关应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、负载开关、电池管理系统和功率放大器等。在服务器和通信设备的电源管理系统中，SIR383也常用于提高转换效率和功率密度。此外，该器件适用于汽车电子系统，如电动车辆的电源管理系统和电池保护电路。
SiR383DP-T1-GE3, SiR383DP, IRF1010E, FDP3815, FDS4818
