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SIR383 发布时间 时间:2025/8/29 1:39:10 查看 阅读:14

SIR383是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高功率和高频开关应用中。该器件采用了先进的TrenchFET技术,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电设备等多种电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):100A
  导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ(典型值,VGS=10V)
  功率耗散(PD):225W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-220AB

特性

SIR383具有极低的导通电阻,使其在高电流应用中表现出色,减少了导通损耗并提高了整体系统效率。该MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,使得器件在高频工作条件下具有出色的性能,适用于高频开关电路。此外,SIR383具备较高的热稳定性和可靠性,能够在高功率密度和高温环境下稳定运行。
  SIR383的封装设计使其易于安装和散热管理,适用于多种电路板布局。其快速的开关特性降低了开关损耗,提高了系统的响应速度和效率。同时,该器件具备较强的过载和短路承受能力,在复杂工况下仍能保持稳定工作。
  在电气特性方面,SIR383的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至15V驱动电压,适用于多种驱动电路设计。其低阈值电压特性也使得器件在低电压控制电路中表现优异。

应用

SIR383主要用于高功率和高频开关应用,包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、负载开关、电池管理系统和功率放大器等。在服务器和通信设备的电源管理系统中,SIR383也常用于提高转换效率和功率密度。此外,该器件适用于汽车电子系统,如电动车辆的电源管理系统和电池保护电路。

替代型号

SiR383DP-T1-GE3, SiR383DP, IRF1010E, FDP3815, FDS4818

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SIR383参数

  • 标准包装500
  • 类别光电元件
  • 家庭红外发射极
  • 系列-
  • 电流 - DC 正向(If)100mA
  • 辐射强度(le)最小值@正向电流20mW/sr @ 20mA
  • 波长875nm
  • 正向电压1.3V
  • 视角20°
  • 方向顶视图
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向
  • 包装散装
  • 其它名称1080-1175