时间：2025/8/29 18:59:42
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SIR19-21C 是一款由 IXYS（现隶属于 Littelfuse）生产的功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频率和高功率应用。这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及其他需要高效能功率开关的场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：3.2A
最大导通电阻（Rds(on)）：1.9Ω @ Vgs = 10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
最大功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220AB
SIR19-21C 具备出色的开关性能和较低的导通电阻，使其在高频开关电路中表现出色。其高击穿电压（600V）确保了在高压应用中的稳定性。该器件采用了先进的平面技术，提供了良好的热稳定性和可靠性。此外，SIR19-21C 的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅极电压范围内稳定工作，这使其兼容多种驱动电路设计。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的安全保障。其 TO-220AB 封装形式便于安装在散热片上，从而提高散热效率，延长器件寿命。SIR19-21C 适用于多种工业和消费类电子应用，包括功率因数校正（PFC）、照明驱动、马达控制和不间断电源（UPS）系统。
SIR19-21C 主要应用于需要高压和中等电流能力的开关电源、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、功率因数校正（PFC）电路、LED 照明驱动、马达控制、电池充电器以及不间断电源（UPS）系统。其优异的开关特性和良好的热性能也使其适合用于高频逆变器和工业自动化控制设备。
IRF840, FQP12N60C, STP3NK60Z
