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SIR172DP-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/25 11:12:22 查看 阅读:13

SIR172DP-T1-GE3 是一款基于 Infineon(英飞凌)技术的 N 沣道开关 MOSFET,采用 Trench 工艺制造。该器件属于 OptiMOS 系列,以其高效率和可靠性著称。它主要应用于需要高效能功率转换的场景,例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及电源管理等。
  SIR172DP-T1-GE3 的封装形式为 TO-252(DPAK),具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关能力,从而减少功率损耗并提升系统整体性能。此外,其优化的热设计也确保了在高电流应用中的稳定性。

参数

型号:SIR172DP-T1-GE3
  品牌:Infineon (英飞凌)
  类型:N 枋 MOSFET
  Vds(漏源电压):100V
  Rds(on)(导通电阻):1.7mΩ (典型值,在 Vgs=10V 时)
  Id(连续漏极电流):164A
  Qg(总栅极电荷):8nC
  EAS(雪崩能量):3.5mJ
  封装:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SIR172DP-T1-GE3 提供卓越的电气性能,具体表现在以下几个方面:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低导通损耗,提高效率。
  2. 高额定电流 Id,能够满足大功率应用的需求。
  3. 快速开关速度,得益于低 Qg 设计,适合高频工作环境。
  4. 具备出色的热性能,通过优化的封装设计增强散热能力。
  5. 可靠性高,支持严苛的工作条件,并具备一定的雪崩耐受能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代工业需求。
  这款 MOSFET 在效率、可靠性和耐用性之间取得了良好的平衡,特别适合对功率密度和散热有较高要求的应用场景。

应用

SIR172DP-T1-GE3 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动:如家用电器、工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
  3. 电池管理系统 (BMS):用于电动车或储能系统的充放电管理。
  4. 工业逆变器:太阳能逆变器或其他电力电子转换装置。
  5. 通信电源:基站供电单元和其他高性能通信设备。
  6. 汽车电子:车身控制模块、电动助力转向系统等。
  其高效能和强鲁棒性使其成为众多高功率密度应用的理想选择。

替代型号

SIR172DP-70T1-GE3
  SIR172DP-T1-GE
  BSC017N10NS5
  IPD110R170P7S

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SIR172DP-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.9 毫欧 @ 16.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds997pF @ 15V
  • 功率 - 最大29.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? SO-8
  • 包装带卷 (TR)