型号：K2088
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大漏极电流（Id）：5A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　最大功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值3.5Ω（最大4.5Ω）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极阈值电压测试条件：Vds = Vgs, Id = 250μA
　　输入电容（Ciss）：约900pF @ Vds=25V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：约200pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管优化设计，不推荐频繁反向导通应用
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-220F

K2088作为一款高耐压N沟道功率MOSFET，具备出色的电气性能和可靠性，特别适用于需要承受高电压冲击的开关电源场景。其最大的亮点之一是高达800V的漏源击穿电压，使其能够直接应用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的离线式开关电源设计中，无需额外的电压钳位保护电路即可应对电网波动和瞬态过压情况。同时，该器件在室温下具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常在3.5Ω左右，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。虽然相对于现代超结MOSFET而言其Rds(on)偏高，但在成本敏感型应用中仍具竞争力。
　　K2088采用了坚固的平面栅结构，具备良好的抗雪崩能力和长期工作稳定性。这种结构使得器件在发生短时过载或电压突变时不易损坏，增强了系统的鲁棒性。此外，其栅极电荷（Qg）适中，约为30nC左右，在驱动设计上对控制器的要求不高，可兼容多种常见的PWM控制IC，如UC3842、TL494等，方便集成到现有电源拓扑中。器件的热阻特性良好，结到外壳的热阻（Rth(j-c)）约为1.0°C/W，配合合适的散热片可长时间工作在高负载状态下。
　　该MOSFET的工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C的结温范围内正常运行，满足工业级应用需求。其封装形式为标准TO-220，便于手工焊接和自动化装配，并且具备良好的机械强度和绝缘性能（尤其TO-220F带绝缘垫）。尽管K2088并非最新一代的高性能MOSFET，但由于其成熟的技术、稳定的供货渠道以及合理的价格，至今仍在许多传统电源产品中广泛使用。需要注意的是，由于其属于较早时期的器件，在高频开关应用中可能存在较大的开关损耗，因此更适合工作频率低于100kHz的应用场合。

K2088常被用于多种中低功率的开关电源设计中，尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关管使用。典型应用场景包括：通用输入范围的AC-DC适配器（如电视机、显示器、打印机等家电设备的内置电源）、小型逆变电源、不间断电源（UPS）中的DC-AC转换模块、LED恒流驱动电源以及工业控制设备中的隔离电源单元。由于其800V的高耐压能力，它可以直接连接整流后的母线电压，避免因电压尖峰导致的器件击穿问题，从而提高系统安全性。
　　在电机控制领域，K2088也可用于中小功率直流电机的启停和调速控制，特别是在单管斩波电路中表现稳定。此外，在一些老式彩色电视机和显示器的行输出电路中，也曾用作扫描开关管，利用其快速开关特性和高耐压优势。由于其封装具备良好的散热能力，K2088还适用于需要长时间连续工作的工业电源模块，例如PLC电源、继电器驱动电源等。
　　值得注意的是，随着半导体技术的发展，越来越多的新型高效MOSFET（如STP系列、FQA系列、SPW系列等）已经逐步取代K2088在高端市场的地位。然而，在维修市场和低成本量产产品中，K2088仍然因其易于获取和替换而保持一定的生命力。设计师在选用时应充分考虑其导通损耗和开关频率限制，确保在目标应用中不会出现过热或效率下降的问题。

2SK2088
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