时间：2025/12/25 13:11:25
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SIR-341ST3F是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-323（SC-76）小型封装。该器件专为高频、高效率的整流和开关应用设计，广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、DC-DC转换器、信号检波及反向电压保护等场景。其低正向压降和快速开关特性使其在低功耗系统中表现出色。SIR-341ST3F符合RoHS环保标准，并具有无卤素（Halogen-Free）和符合IEC 61249-2-21标准的绿色材料构成，适用于自动化贴片生产流程。该二极管具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合用于紧凑型消费电子产品、通信设备以及工业控制模块中。
该器件的额定平均正向整流电流为200mA（IF(AV)），最大重复峰值反向电压为30V（VRRM），适用于低压直流系统的整流与防反接保护。由于其采用SOD-323封装，体积小巧，仅约2.0 x 1.25 x 1.0 mm，非常适合对空间要求极为严格的PCB布局设计。此外，SIR-341ST3F经过优化设计，具有较低的漏电流和结电容，有助于提升高频应用中的整体效率并减少电磁干扰（EMI）。
产品类型：肖特基势垒二极管
封装/外壳：SOD-323（SC-76）
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
最大重复峰值反向电压 VRRM：30V
最大直流阻断电压 VR：30V
最大平均正向整流电流 IF(AV)：200mA
峰值浪涌电流 IFSM：0.5A
最大正向压降 VF @ IF=200mA：450mV
最大反向漏电流 IR @ VR=30V, 25°C：10μA
工作结温范围 TJ：-55°C ~ +150°C
存储温度范围 Tstg：-55°C ~ +150°C
结至环境热阻 RθJA：400 K/W
最大结电容 CT @ VR=4V, f=1MHz：30pF
SIR-341ST3F具备优异的电学特性，其核心优势在于低正向导通压降和快速恢复能力。在200mA的工作电流下，典型正向压降仅为450mV，远低于传统PN结二极管（通常为700mV以上），从而显著降低功率损耗，提高系统能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。该器件没有少数载流子的累积效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），开关速度极快，可有效减少开关过程中的能量损耗和电压振铃现象，提升高频开关电源（如DC-DC转换器）的动态响应性能。
该二极管采用铂势垒技术制造，提高了高温下的稳定性与可靠性，即使在125°C高温工作条件下，反向漏电流仍能控制在较低水平（典型值小于100μA）。这种稳定性使其可在恶劣环境或密闭空间中长期运行而不影响系统性能。同时，其小信号封装结构确保了低寄生参数，有助于减少高频信号路径中的噪声耦合与失真，适用于射频检波、逻辑电平钳位及ESD保护等精密模拟电路。
SIR-341ST3F还具有出色的热性能和机械强度，SOD-323封装支持回流焊工艺，适用于大规模自动化贴片生产。器件本体采用模塑环氧树脂封装，提供良好的防潮、抗化学腐蚀和机械冲击能力。此外，其引脚结构经过优化，兼容标准贴片拾取与放置设备，提升了生产良率。整体设计兼顾高性能与制造便利性，是现代微型化电子系统中理想的整流与保护元件选择。
SIR-341ST3F广泛应用于多种低电压、高效率的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源路径管理与电池反接保护；在DC-DC升压或降压转换器中作为续流二极管使用，利用其低VF和快速响应特性来提升转换效率；也可用于USB接口、充电管理电路中的防倒灌二极管，防止外部电源对内部电路造成损坏。
在通信设备中，该器件可用于高频信号检波、包络检测及射频前端电路中的限幅保护；在数字逻辑电路中，常被用作电平移位或钳位二极管，防止输入信号超出安全范围导致IC损坏；此外，还可用于传感器信号调理电路中进行噪声抑制和瞬态电压吸收。
工业控制系统、智能家居设备、物联网节点模块也普遍采用此类小型化肖特基二极管，以满足高密度PCB布局需求。由于其绿色环保属性和高可靠性，SIR-341ST3F同样适用于医疗电子、汽车电子外围电路（非引擎舱）以及便携式测试仪器等领域，是实现高效、节能、小型化设计的关键元器件之一。
BAT54S, PMEG3020CPH, B130WA, SS12
