类型：功率MOSFET
　　封装形式：SIP
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：连续工作条件下20A
　　导通电阻（RDS(on)）：通常为0.12Ω（具体值取决于型号后缀）
　　栅极电荷（Qg）：约70nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　功率耗散（PD）：150W（Tc=25°C）

SIP200 功率MOSFET具有低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。其SIP封装设计提供了良好的散热性能，确保器件在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，SIP200具备高耐压能力，最大漏源电压可达200V，适用于中高压电源管理系统。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间，允许使用不同的驱动电路进行控制。
　　其内部结构优化了开关性能，降低了开关损耗，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
　　由于其高集成度和紧凑的封装形式，SIP200在PCB布局中占用空间较小，适合高密度电源设计应用。

SIP200 常用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，适用于AC/DC和DC/DC转换器设计。在电机控制领域，该器件用于H桥电路中的功率开关，实现对电机的高效控制。
　　此外，SIP200 也广泛应用于逆变器系统，如UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统中的DC/AC转换部分。在电池管理系统中，SIP200可用于电池充放电控制电路，实现对电池组的安全管理。
　　其他应用包括工业自动化设备、电动工具、电动车辆（如电动车控制器）以及各种需要高效功率开关的电子系统。

SIP200N10N, SIP200N10K, IRF150, FDP20N20