SIP200 是一款广泛应用于电源管理领域的功率MOSFET器件,采用SIP(Single In-line Package)封装形式,具有优良的热性能和电气性能。该器件主要用于开关电源、电机控制、逆变器、电池管理系统等应用中,能够高效地控制电流的导通与截止,从而提高系统的整体效率。
类型:功率MOSFET
封装形式:SIP
最大漏源电压(VDS):200V
最大漏极电流(ID):连续工作条件下20A
导通电阻(RDS(on)):通常为0.12Ω(具体值取决于型号后缀)
栅极电荷(Qg):约70nC
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
功率耗散(PD):150W(Tc=25°C)
SIP200 功率MOSFET具有低导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。其SIP封装设计提供了良好的散热性能,确保器件在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
此外,SIP200具备高耐压能力,最大漏源电压可达200V,适用于中高压电源管理系统。该器件的栅极驱动电压范围较宽,通常在10V至20V之间,允许使用不同的驱动电路进行控制。
其内部结构优化了开关性能,降低了开关损耗,同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力,提高了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
由于其高集成度和紧凑的封装形式,SIP200在PCB布局中占用空间较小,适合高密度电源设计应用。
SIP200 常用于开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器,适用于AC/DC和DC/DC转换器设计。在电机控制领域,该器件用于H桥电路中的功率开关,实现对电机的高效控制。
此外,SIP200 也广泛应用于逆变器系统,如UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和储能系统中的DC/AC转换部分。在电池管理系统中,SIP200可用于电池充放电控制电路,实现对电池组的安全管理。
其他应用包括工业自动化设备、电动工具、电动车辆(如电动车控制器)以及各种需要高效功率开关的电子系统。
SIP200N10N, SIP200N10K, IRF150, FDP20N20