类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：650V
　　最大漏极电流(Id)：17A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（最大值，Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：38nC（典型值）
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-247

IXTH17N65 MOSFET采用了先进的平面条纹和电池阵列技术，确保了其在高压和大电流条件下依然具有出色的性能和稳定性。该器件的导通电阻较低，可以有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。其高雪崩能量耐受能力增强了器件在极端条件下的可靠性。
　　这款MOSFET还具有优异的热管理性能，能够在高功率密度应用中保持较低的工作温度，从而延长使用寿命。IXTH17N65的栅极驱动要求较低，可以与常见的驱动电路兼容，简化了设计流程。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，可以在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。
　　由于其高性能特性和可靠的封装设计，IXTH17N65广泛应用于电源转换器、电机驱动器、工业自动化设备和高功率LED照明系统等领域。它不仅提高了系统的效率，还能在恶劣的工作环境中保持稳定运行。

IXTH17N65适用于多种高功率和高压应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、工业自动化控制系统、高功率LED照明系统以及电动汽车充电设备等。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。

STP17N65M5, FQP17N65, SPW20N60C3