时间：2025/5/24 16:20:27
阅读：12
BSL308CH6327是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它被广泛应用于各种开关和功率管理电路中，因其低导通电阻和快速开关特性而备受青睐。这种器件通常用于电源适配器、充电器、DC-DC转换器以及其他需要高效开关性能的电子设备中。
该型号采用小尺寸封装技术，有助于节省PCB空间，同时具备良好的热性能，使其非常适合于高密度设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8A
导通电阻：15mΩ
总栅极电荷：15nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率，减少了功率损耗。
2. 快速开关能力使它适用于高频应用，如开关电源和电机驱动等。
3. 具备出色的热稳定性和鲁棒性，能够承受较高的结温。
4. 小型化的封装形式（例如SOT-23或DFN）提升了其在紧凑型设计中的适用性。
5. 提供反向恢复时间短的体二极管，减少开关损耗并提高整体性能。
6. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受力。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电池保护和负载切换功能。
3. 各种类型的DC-DC转换器。
4控制。
5. 电机驱动和音频放大器的输出级控制。
6. 通信系统中的信号调节和功率管理模块。
BSL308CH6327P, BSL308CH6327R
