型号：SIL3726CB
　　制造商：Silicon Labs
　　通道数：6通道
　　隔离耐压：5000 VRMS（持续交流电压）
　　工作电压（VCC）：2.7V 至 5.5V
　　数据速率：最高支持150 Mbps
　　传播延迟：典型值为15ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-16宽体
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5、VDE 0884-10（增强型隔离）
　　隔离寿命：超过50年（在额定工作条件下）
　　电源电流（每通道）：典型值为1.2 mA（@5V, 1 Mbps）
　　上升/下降时间：典型值为3ns
　　反向电源保护：不支持（需外部电路保护）
　　故障安全输出状态：高阻态或低电平（取决于输入状态）

SIL3726CB的最显著特性之一是其基于电容隔离技术的高可靠性隔离机制。该技术利用高频调制信号通过微型片上电容进行跨隔离栅的数据传输，相比传统的光耦合器，避免了LED老化、温度漂移和速度受限等问题，从而实现了更长的使用寿命和更高的信号完整性。其六通道配置支持灵活的通道方向组合，例如全单向、混合方向或全双向模式，满足复杂系统中多路信号隔离的需求。每个通道均具备独立的隔离栅，确保通道间无串扰，提升系统安全性。该器件还集成了先进的电磁兼容性（EMC）设计，具有极高的共模瞬态抗扰度（CMTI），即使在存在快速电压变化的高压环境中也能保持稳定通信，有效防止误触发或数据丢失。
　　SIL3726CB支持宽电源电压范围（2.7V–5.5V），允许其与多种逻辑电平系统（如3.3V和5V）无缝对接，增强了系统设计的灵活性。其低功耗特性使其非常适合电池供电或对能效敏感的应用场景。此外，该芯片在制造过程中经过严格的老化测试和隔离性能验证，确保每一颗器件都符合工业级质量和可靠性标准。内置的故障检测和热关断保护功能进一步提升了系统的鲁棒性。由于采用CMOS工艺，SIL3726CB具备良好的抗辐射和抗静电能力，适用于工业现场、工厂自动化和户外电力设备等复杂电磁环境。其小型化宽体SOIC封装不仅节省PCB空间，还提供了足够的爬电距离和电气间隙，满足增强型隔离的安全要求。

SIL3726CB广泛应用于需要高可靠性和高抗干扰能力的电气隔离场景。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块、传感器接口和现场总线通信中，实现控制器与执行器之间的安全隔离，防止高电压或电流冲击损坏主控单元。在电源管理系统中，该芯片可用于隔离DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中的反馈信号和控制信号，提升系统的效率与安全性。在电机驱动和逆变器系统中，SIL3726CB用于隔离PWM控制信号和电流/电压检测信号，确保微控制器与高压功率桥之间的电气隔离，保障操作人员和设备安全。
　　在可再生能源系统如光伏逆变器和风力发电控制系统中，SIL3726CB支持高精度数据采集与控制信号的隔离传输，适应恶劣的户外运行环境。在医疗电子设备中，该芯片可用于病人连接设备的信号隔离，满足医疗安全标准对漏电流和绝缘强度的严格要求。此外，在通信基础设施中，如隔离式RS-485、CAN总线和以太网PHY接口，SIL3726CB能够有效抑制地电位差和噪声干扰，提升通信稳定性。其高数据速率和低延迟特性也使其适用于高速数字接口隔离，如隔离SPI用于ADC/DAC通信，或用于隔离微处理器与外设之间的关键控制线。

ADuM3406
　　ISO6760
　　Si8660