时间：2025/8/6 2:45:49
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IXFN140N20 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-247 封装。该器件设计用于高功率开关应用，具备低导通电阻、高耐压能力和高电流容量。IXFN140N20 的最大漏源电压（VDS）为 200V，连续漏极电流（ID）可达 140A，适用于电源转换、工业电机控制、电动车驱动系统等需要高效能功率开关的场合。
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@ TC=25°C：140A
脉冲漏极电流（IDM）：560A
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
导通电阻（RDS(on)）：@ VGS=10V 时典型值为 8.5mΩ
阈值电压（VGS(th)）：3.5V ~ 6.0V（@ ID=250μA）
IXFN140N20 MOSFET 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻 RDS(on)，在 VGS=10V 时典型值仅为 8.5mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件具备高耐压能力，其最大漏源电压 VDS 为 200V，适用于多种中高压功率转换系统。此外，其高电流承载能力（140A 连续漏极电流）使其适用于高功率密度设计。
该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，适合高功率应用。其栅极驱动电压范围为 ±20V，标准驱动电压为 10V，适用于常见的 MOSFET 驱动电路。IXFN140N20 还具备快速开关特性，降低开关损耗，提升系统响应速度。同时，其内部结构设计优化了热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等苛刻应用环境。
IXFN140N20 MOSFET 广泛应用于各类高功率电子系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电动车（EV）充电系统、不间断电源（UPS）、逆变器以及工业自动化控制系统等。由于其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，特别适合需要高效、高可靠性的功率开关场合。此外，该器件也适用于太阳能逆变系统、电池管理系统（BMS）以及高功率 LED 驱动器等新兴应用领域。
IXFN140N20T, IXFH140N20T, IXFN160N20, STY140N20L
