ESD11V12C-S10T 是一款基于硅材料的多通道瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于电子设备中的静电放电(ESD)保护和电气过压防护。该器件具有超低电容特性,非常适合高速数据线和高频信号线的保护。它采用 SOT-23 封装形式,能够有效减少电路板空间占用,同时提供可靠的保护性能。
该器件符合 IEC 61000-4-2 国际标准,并能在系统级提供高达 ±12kV(空气放电)和 ±8kV(接触放电)的 ESD 防护能力。由于其出色的响应速度和低箝位电压,能够有效防止因瞬态电压而引起的损坏或数据丢失。
额定电压:11.5V
最大工作电压:12V
峰值脉冲电流:±6A
结电容:0.7pF
响应时间:≤1ps
封装形式:SOT-23
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1. 超低电容设计,适用于高速信号线路
2. 快速响应时间,确保对瞬态事件的有效防护
3. 符合 IEC 61000-4-2 标准,支持高静电放电防护
4. 高可靠性,能够在多次重复冲击下保持稳定性能
5. 小型化封装,节省 PCB 空间
6. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境
7. 提供双向保护,支持多种接口应用
1. USB 接口保护
2. HDMI 和 DisplayPort 数据线保护
3. 无线通信模块的射频端口保护
4. 移动设备中音频和视频信号线的保护
5. 工业自动化设备中的传感器信号保护
6. 高速以太网端口防护
7. 汽车电子系统的 CAN/LIN 总线保护
PESD11V12BG, SMF11.5A, ESD11V12C-T1G