时间：2025/5/16 11:56:49
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SIHP065N60E-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沣道沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和出色的热性能，非常适合用于高频开关应用。其封装形式为 TO-247-3L，具有较高的电流处理能力和散热能力。
这款 MOSFET 主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及逆变器等场景，能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：18A
最大脉冲漏极电流：90A
导通电阻（典型值）：0.65Ω
栅极电荷：27nC
输入电容：1680pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SIHP065N60E-GE3 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：额定漏源电压为环境下的电路设计。
2. 低导通电阻：典型值仅为 0.65Ω，可显著减少导通损耗。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和输入电容确保了更快的开关速度，从而提高了系统效率。
4. 良好的热稳定性：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内稳定运行。
5. 可靠性高：经过严格的质量控制流程，保证在各种工况下的长期可靠性。
6. 散热性能优越：TO-247-3L 封装提供了良好的散热路径，适合大功率应用。
SIHP065N60E-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 太阳能逆变器
6. 不间断电源（UPS）
7. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
其高耐压和低损耗特性使其成为许多高压、高效应用的理想选择。
SIHP140N60E-GE3
IRFP460
FDP18N60
