时间：2025/8/2 6:09:05
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SIHLL014TR-GE3 是 Vishay Semiconductors 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型。该晶体管适用于多种通用和高频率应用，具有良好的电流放大性能和稳定性。SIHLL014TR-GE3 采用 SOT-23 封装形式，适合用于表面贴装技术（SMT），广泛应用于通信设备、放大电路、开关电路和消费类电子产品中。该器件具有低饱和压降、高电流增益和良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
晶体类型：NPN 型
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
电流增益（hFE）：110 至 800（根据等级不同）
过渡频率（fT）：100MHz
最大集电极-基极电压（VCB0）：50V
最大发射极-基极电压（VEB0）：5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
SIHLL014TR-GE3 是一款性能优越的 NPN 晶体管，广泛用于通用放大和开关应用。其主要特性包括高电流增益（hFE）范围宽，能够适应多种电路设计需求。其 hFE 值在不同等级下可达到 110 至 800，使得该晶体管在小信号放大、低噪声放大和数字开关电路中表现优异。此外，该晶体管具有高达 100MHz 的过渡频率（fT），使其适用于高频放大电路，例如射频（RF）前端模块和高速数字信号处理电路。
SIHLL014TR-GE3 采用 SOT-23 小型封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 布局中使用。其最大集电极电流为 100mA，最大集电极-发射极电压为 30V，适合中低功率应用。该晶体管的低饱和压降（VCE(sat)）特性使其在开关应用中具有较低的功耗，从而提高系统效率。
该器件的热稳定性良好，在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内可稳定工作，适用于各种环境条件下的工业级和消费级应用。此外，其最大功耗为 300mW，确保在正常工作条件下不会因过热而损坏，提高了器件的可靠性和使用寿命。
SIHLL014TR-GE3 主要应用于通用放大电路、小信号放大器、数字开关电路、逻辑门电路、射频（RF）前端模块、通信设备、音频放大器、传感器接口电路以及消费类电子产品中的各种控制和信号处理电路。
BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N2222, PN2222
