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IS43TR16128C-15HBL 发布时间 时间:2025/12/28 17:38:59 查看 阅读:27

IS43TR16128C-15HBL 是由Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为128K x 16位,采用高速CMOS工艺制造,适用于需要快速数据存取和高可靠性的应用场合。该芯片具有低功耗特性,适用于工业级温度范围。

参数

类型:静态存储器(SRAM)
   容量:128K x 16位
   电压:3.3V
   封装:TSOP
   工作温度:-40°C ~ +85°C
   存取时间:15ns
   数据宽度:16位
   引脚数:54
   读写操作:异步
   功耗:典型值约200mA(待机模式下电流低至10mA)

特性

IS43TR16128C-15HBL 具有高速读写能力,存取时间仅为15ns,确保了数据处理的高效性。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高抗噪性能,能够在高温环境下稳定工作,适用于各种工业自动化、通信设备以及嵌入式系统等对稳定性要求较高的应用场景。
  此外,该芯片具备异步接口设计,无需时钟同步即可完成数据读写操作,简化了系统设计,提高了系统的灵活性和稳定性。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用,提高布线效率。
  同时,IS43TR16128C-15HBL 还具有宽温工作范围,从-40°C到+85°C,适用于恶劣环境条件下的工业级应用,如通信基站、工业控制设备、智能仪表等场景。

应用

IS43TR16128C-15HBL 主要用于需要高速数据缓冲和临时存储的场合,如网络通信设备、工业控制主板、嵌入式系统、测试测量仪器、医疗设备、视频图像处理模块等。由于其高速和低功耗的特性,特别适合对实时性和能效要求较高的应用系统。

替代型号

IS42S16100C-15HBL, CY62167EV30LL-15T, IDT71V128SA15PFG

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IS43TR16128C-15HBL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格190 : ¥43.99353托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)