时间：2025/5/10 14:50:27
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SIHK075N60EF-T1GE3 是一款由 Semikron 推出的高效 N 沟道 MOSFET 芯片，主要应用于工业控制、电机驱动和高功率电源转换领域。该器件采用先进的封装技术，具有较低的导通电阻和较高的开关频率，能够在高压条件下提供卓越的性能。
这款 MOSFET 的额定电压为 600V，适用于多种高电压应用场景，例如变频器、太阳能逆变器以及 UPS 系统等。其优化的设计使其具备出色的热性能和可靠性，适合长时间连续运行的高要求环境。
额定电压：600V
最大漏源电流：82A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：140nC
输入电容：3220pF
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SIHK075N60EF-T1GE3 具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达 600V 的漏源电压，保证在高压系统中的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 75mΩ，在高电流应用中显著降低传导损耗。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷和输出电荷，从而提高效率并减少开关损耗。
4. 宽广的工作温度范围，支持从 -55℃ 到 +175℃ 的极端条件，适应恶劣的工作环境。
5. 高可靠性设计，采用 Semikron 的先进制造工艺，确保长期使用的稳定性与耐用性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料，满足国际环保法规的要求。
SIHK075N60EF-T1GE3 广泛应用于以下领域：
1. 工业变频器和伺服驱动器，用于精确控制电机速度和扭矩。
2. 太阳能逆变器，将直流电高效转换为交流电，以接入电网或本地负载。
3. 不间断电源（UPS）系统，提供稳定的电力供应以保护关键设备。
4. 开关电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器，用于各种电子设备供电。
5. 电动汽车充电站和其他高功率能源管理系统，实现高效的能量传输与管理。
SIHH090N60EF-T1GE3, SIHG075N60EF-T1GE3
