时间：2025/5/29 19:40:44
阅读：7
GA0805A561KXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于电源管理领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点。这种元器件非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
型号：GA0805A561KXCBR31G
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
总功耗(Ptot)：70W
工作温度范围(Ta)：-55°C to +175°C
GA0805A561KXCBR31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频工作场景，减少磁性元件体积并优化设计。
3. 出色的热稳定性，确保在高电流和高温环境下长期可靠运行。
4. 提供强大的过流保护和短路耐受能力，增强系统的安全性和鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的生产需求。
6. 封装形式紧凑，易于集成到各种印刷电路板设计中。
这款功率MOSFET广泛适用于以下应用领域：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器和工业电源。
2. DC-DC转换器，包括降压、升压及反激式拓扑结构。
3. 电动工具中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统，例如电池管理系统(BMS)和车载充电器。
5. 大功率负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
FDP5802
STP50NF06L
