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SIHG039N60E-GE3 发布时间 时间:2025/4/30 17:55:17 查看 阅读:4

SIHG039N60E-GE3 是一款由 Semikron(赛米控)生产的 IGBT 模块,属于 EconoPACK 系列。该模块采用了先进的 IGBT 技术和快速恢复二极管设计,适用于工业变频器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器等中功率应用场合。
  该模块具有高可靠性、低导通损耗和开关损耗的特点,同时其封装形式紧凑,适合需要高效率和高功率密度的电力电子设备。

参数

额定电压:600V
  额定电流:39A
  最大集电极-发射极饱和电压:1.7V
  最大栅极-发射极开启电压:20V
  最大栅极-发射极关断电压:-15V
  开关频率范围:最高可达 20kHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  热阻:1.2 K/W
  封装形式:EconoDUAL III

特性

SIHG039N60E-GE3 的主要特性包括:
  1. 高效的 IGBT 芯片技术,确保低导通电阻和低开关损耗。
  2. 内置快速恢复二极管,优化了反向恢复性能并降低了开关噪声。
  3. 使用压接式结构设计,提高了模块的可靠性和散热性能。
  4. 封装紧凑,节省空间,便于在有限的空间内集成更多功能。
  5. 宽广的工作温度范围,能够适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于维护。
  7. 提供优异的短路耐受能力,增强了系统的安全性与稳定性。

应用

SIHG039N60E-GE3 主要应用于以下领域:
  1. 工业变频器,用于电机控制以提高能效。
  2. 不间断电源 (UPS),提供稳定的电力输出。
  3. 太阳能逆变器,将直流电高效转换为交流电。
  4. 电动汽车充电站,支持快速充电需求。
  5. 其他需要高效功率转换的设备,如焊接机和感应加热装置。

替代型号

SIHG040N60E-GE3
  SKM400GB123D
  FF450R12ME4_C2

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SIHG039N60E-GE3参数

  • 现有数量406现货
  • 价格1 : ¥88.56000管件
  • 系列E
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)63A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)39 毫欧 @ 32A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)126 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4369 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)357W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247AC
  • 封装/外壳TO-247-3