晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：100V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：100V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

SIHFL210TR-GE3 晶体管具有多项优异的电气特性。首先，其集电极-发射极电压（Vceo）为 100V，表明该晶体管能够承受较高的电压，适用于需要较高电压处理能力的电路设计。其次，该晶体管的最大集电极电流为 100mA，能够满足一般低功率应用的需求。晶体管的 hFE（直流电流增益）范围为 110 至 800，具体数值取决于器件的增益等级，这使得它在放大电路中表现出色，能够提供良好的信号增益。此外，该晶体管的过渡频率（fT）为 100MHz，意味着它可以在高频应用中稳定工作，适用于射频（RF）和中频放大器等场景。SIHFL210TR-GE3 采用 SOT-23 封装，体积小，便于在 PCB 上布局，同时支持表面贴装工艺，提高了制造效率和可靠性。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在极端环境下稳定运行，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场合。
　　从电气性能上看，该晶体管具有较低的饱和压降（Vce_sat），确保在开关应用中具有较高的效率。此外，其基极-发射极结的电压（Vbe）在额定电流下约为 0.7V，符合标准 NPN 晶体管的特性。该器件的封装设计也优化了热性能，能够有效散热，防止因过热导致的性能下降或损坏。SIHFL210TR-GE3 在制造过程中采用了无铅工艺，符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子产品对环保的要求。

SIHFL210TR-GE3 由于其良好的电气性能和广泛的适用性，广泛应用于多个领域。在消费电子方面，它可用于音频放大器、电源管理电路和信号处理电路。在工业控制领域，该晶体管常用于继电器驱动、电机控制和传感器信号放大等应用。此外，在通信设备中，该晶体管可作为射频信号放大器或开关元件，适用于无线通信模块和数据传输设备。由于其能够在较高频率下稳定运行，SIHFL210TR-GE3 也常用于数字电路中的开关应用，如逻辑电平转换和缓冲电路。在汽车电子系统中，该晶体管可用于车载电源管理、LED 驱动和传感器信号调节等场景。其宽温度范围和高可靠性也使其适用于户外和恶劣环境下的电子设备，如工业自动化系统和安防监控设备。

BC547, 2N3904, MMBT3904, PN2222A