类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.8mΩ（在Vgs=10V时）
　　封装形式：HSON（热增强型表面贴装封装）

R460P2 MOSFET具备多项优异特性，使其适用于高功率和高性能应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件支持高达60V的漏源电压，能够在较高电压环境下稳定运行，适用于多种电源转换系统。
　　此外，R460P2采用了瑞萨先进的功率MOSFET制造工艺，具备出色的热稳定性和高温工作能力，能够在高负载条件下保持良好的散热性能。其±20V的栅极耐压能力增强了器件在复杂工作环境中的可靠性，减少了栅极驱动电路设计的限制。
　　封装方面，R460P2采用HSON封装，具有良好的热管理性能，适合高密度PCB布局。该封装形式不仅提高了散热效率，还增强了机械稳定性和焊接可靠性，适用于自动化表面贴装工艺，便于大规模生产。
　　综合来看，R460P2是一款高性能功率MOSFET，适用于各种高效率电源转换和功率控制应用，具有高效、稳定、可靠等优点。

R460P2广泛应用于多个领域，主要包括：DC-DC转换器，用于提高转换效率和稳定性；负载开关电路，实现高效能电源管理；电机驱动系统，用于控制电机的启停和方向；电池管理系统（BMS），用于高功率电池组的充放电控制；工业自动化设备中的电源开关和功率控制模块。此外，它也可用于高功率LED照明系统、服务器电源和通信设备的电源管理模块。

Si4410BDY, IRF9540N, FDP6680