SIHF520 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型 TO-263 封装形式,适合在各种开关电源、电机驱动、负载开关和其他高电流应用中使用。
SIHF520 的设计注重高效能和低导通电阻,其最大工作电压为 60V,典型导通电阻 Rds(on) 在 Vgs = 10V 时仅为 4.5mΩ(最大值)。这使得它能够在高频条件下提供高效的性能表现。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:73A
脉冲漏极电流:190A
栅极阈值电压:2V 至 4V
导通电阻(Vgs=10V):4.5mΩ
总功耗:180W
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-263
SIHF520 的主要特点包括:
1. 极低的导通电阻,可显著降低导通损耗。
2. 高雪崩能量能力,增强了器件的可靠性与坚固性。
3. 超快速开关速度,适合高频应用。
4. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
5. 内置静电保护功能,能够有效防止 ESD 损坏。
6. 热稳定性好,可在宽温度范围内可靠运行。
7. 小型化封装,节省 PCB 空间。
SIHF520 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护电路。
4. 工业设备中的电机驱动和逆变器。
5. 汽车电子中的大电流控制及配电模块。
6. 太阳能逆变器中的功率转换电路。
7. 各类需要高效能功率管理的应用场景。
IRF540N
STP75NF06L
FDP55N06L