制造商：AMD（现由Spansion/Fujitsu延续）
　　产品系列：Am29LV
　　存储容量：16 Mbit
　　组织结构：2M x 8 或 1M x 16
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　封装类型：48-pin SOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：并行接口
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　写保护功能：软件及硬件数据保护
　　可靠性：典型数据保持时间 > 20年
　　耐久性：每个扇区可擦写100,000次以上

AM29LV160BT-90SC具备多项先进特性，确保其在复杂嵌入式环境中的稳定运行。首先，其支持低电压操作（2.7V–3.6V），兼容现代低功耗系统设计，同时内部集成电荷泵电路，可在标准供电下完成编程与擦除操作，无需额外的高压编程电源，极大地简化了外围电路设计，降低了系统成本和复杂度。其次，该器件提供90ns的快速读取访问时间，能够满足中高端嵌入式处理器对存储响应速度的要求，确保系统启动和程序执行的高效性。
　　该芯片采用顶部扇区架构（Top Boot），即主存储区域下方包含多个较小的扇区，而引导代码所在的保护扇区位于地址空间的顶部。这种结构允许系统在上电时优先从受保护的引导扇区加载程序，防止关键启动代码被意外修改或擦除，增强了系统的安全性和稳定性。所有扇区均支持独立擦除和编程，支持粒度化管理存储内容，适用于多任务固件更新和配置数据存储。
　　AM29LV160BT-90SC内置硬件和软件写保护机制。通过特定的命令序列或硬件引脚（如RESET#和WP#）控制，可锁定部分或全部存储区域，防止在电源波动、系统复位或软件故障期间发生误写或误擦除。此外，该器件支持批量擦除和扇区擦除两种模式，用户可根据实际需求选择操作粒度，提升操作效率。其高耐久性（10万次擦写周期）和长达20年以上的数据保持能力，使其适用于长期运行且频繁更新的工业和通信设备。
　　在可靠性方面，该芯片具备较强的抗干扰能力和宽温工作范围（-40°C至+85°C），适用于恶劣工业环境。其CMOS工艺制造保证了低静态电流和动态功耗，适合便携式和电池供电设备。此外，该器件符合环保要求，采用无铅封装选项，适应RoHS规范。尽管当前已逐步被更高密度或串行接口闪存替代，但其成熟的技术和广泛的兼容性仍使其在许多存量设计中持续使用。

AM29LV160BT-90SC广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在通信设备领域，常用于路由器、交换机和基站模块中存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和设备配置参数，其快速读取和高可靠性保障了设备的稳定启动和运行。在工业控制系统中，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块，保存用户程序、校准数据和运行日志，支持现场固件升级和参数调整。
　　消费类电子产品如机顶盒、数字电视、打印机和多媒体播放器也采用此类并行NOR Flash作为主程序存储器，因其随机访问性能优越，支持XIP（Execute In Place）功能，即处理器可直接从闪存中执行代码，无需将程序加载到RAM，节省系统资源并加快启动速度。在网络设备中，AM29LV160BT-90SC用于存储固件、安全证书和网络协议栈，支持远程维护和安全更新。
　　此外，在汽车电子（如车载信息娱乐系统）、医疗设备和测试测量仪器中，该芯片凭借其宽温特性和高数据完整性，成为可靠的存储解决方案。尽管近年来串行SPI Flash因引脚少、成本低而逐渐普及，但在需要高吞吐率和随机访问能力的应用中，并行接口的AM29LV160BT-90SC仍具有不可替代的优势。其成熟的生态系统和广泛的开发工具支持，也使得工程师在进行系统维护或旧平台升级时倾向于继续选用该型号。

S29AL016D-90-FCI001
　　MBM29LV160BE-90JCNE1
　　SST39VF1601C-90-4C-PHE
　　IS29LV160DB-90TLI