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SIHB33N60ET1-GE3 发布时间 时间:2025/4/3 9:58:28 查看 阅读:5

SIHB33N60ET1-GE3 是一款由 Semikron 生产的 IGBT 模块,属于 ET 系列。该模块采用了先进的封装技术,能够提供高效率和低损耗性能,适用于工业驱动、新能源发电及电源转换等应用场景。此模块具有较高的电压和电流处理能力,同时具备出色的热管理和可靠性。
  该模块集成了多个 IGBT 芯片与二极管芯片,并采用半桥拓扑结构设计,方便用户构建多相逆变器或复杂功率变换电路。

参数

额定电压:600V
  额定电流:33A
  开关频率:最高 20kHz
  功耗:典型值 5W
  结温范围:-40°C 至 +150°C
  导通压降:约 2.0V(典型值)
  关断时间:约 100ns(典型值)
  封装类型:SEMI2 封装

特性

1. 高效功率转换能力,适用于中等功率应用场合。
  2. 内部集成有快速恢复二极管,降低整体损耗。
  3. 半桥拓扑设计简化了电路布局并减少了外部元件数量。
  4. 具备过流保护功能,增强了系统的安全性和稳定性。
  5. 改进的散热设计确保在高负载条件下的稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无害。
  7. 可靠性高,适合长时间连续工作环境。

应用

1. 工业电机驱动和伺服系统。
  2. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
  3. 不间断电源 (UPS) 和其他电力电子装置。
  4. 电动汽车充电站和车载 DC-DC 转换器。
  5. 焊接机和感应加热设备。
  6. 高频感应加热和金属熔炼应用。

替代型号

SIHB50N60ET1-GE3, SIHB25N60ET1-GE3

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SIHB33N60ET1-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥49.13000剪切带(CT)800 : ¥30.76185卷带(TR)
  • 系列E
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)33A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)99 毫欧 @ 16.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3508 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)278W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK(TO-263)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB