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SIHA186N60EF-GE3 发布时间 时间:2025/4/27 12:35:23 查看 阅读:4

SIHA186N60EF-GE3 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,由 Semikron 生产。该器件采用先进的封装技术,专为高功率应用而设计。其主要特点包括低导通损耗、快速开关性能以及出色的热稳定性。此外,该型号还集成了软恢复二极管,以优化电路性能并减少电磁干扰。
  IGBT 模块广泛应用于工业变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电机驱动等领域,能够实现高效的能量转换和控制。

参数

额定电压:600V
  额定电流:180A
  最大结温:175°C
  开关频率:高达 20kHz
  集电极-发射极饱和电压:≤2.2V
  总功耗:250W
  存储温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SEMITOP M 封装

特性

SIHA186N60EF-GE3 具有以下显著特性:
  1. 高效能量转换能力,适合大功率应用场景。
  2. 内置软恢复二极管,可有效降低开关噪声和电磁干扰。
  3. 良好的热管理设计,确保在高负载下的稳定运行。
  4. 快速开关性能,有助于提高系统的动态响应速度。
  5. 高可靠性,能够在极端温度条件下工作。
  6. SEMITOP M 封装提供坚固耐用的结构和易于安装的特点。

应用

该型号广泛用于以下领域:
  1. 工业变频器:用于调节电机转速和扭矩。
  2. 太阳能逆变器:将直流电高效转化为交流电。
  3. 不间断电源(UPS):为关键设备提供稳定的电力供应。
  4. 电动汽车牵引逆变器:控制电动机的运行状态。
  5. 焊接设备:提供精确的电流控制以满足焊接需求。
  6. 风力发电系统:参与风力发电机的能量转换过程。

替代型号

SKM186GB12E4, SKM186GB12E4T120

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SIHA186N60EF-GE3参数

  • 现有数量1,900现货
  • 价格1 : ¥22.74000管件
  • 系列EF
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)193 毫欧 @ 9.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)32 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1081 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)156W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220 整包
  • 封装/外壳TO-220-3 整包