SIH31-06 时间：2025/12/29 17:13:24 阅读：19

SIH31-06是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场合。SIH31-06采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，使其在高电流条件下仍能保持良好的工作稳定性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：100A（在TC=25℃时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.0033Ω（典型值为0.0028Ω）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V～2.5V
　　最大功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55℃～+175℃
　　封装形式：D2PAK（TO-263）

特性

SIH31-06具有多项显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了高性能沟槽MOSFET技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源应用。此外，SIH31-06具备良好的热稳定性，D2PAK封装提供了优良的散热能力，能够在高电流负载下保持较低的温升。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态电压冲击下的可靠性。SIH31-06的栅极驱动电压范围较宽，兼容标准逻辑电平驱动，适用于多种控制电路。最后，该MOSFET具有高耐用性和长期稳定性，适合工业级和汽车电子应用中的高可靠性要求。
　　在应用中，SIH31-06通常用于同步整流、电机驱动、电池管理系统（BMS）、DC-DC降压/升压转换器以及高侧和低侧开关电路。其高效率和紧凑的封装形式使其成为高密度电源设计的理想选择。

应用

SIH31-06广泛应用于多种电力电子系统和模块中。常见的应用包括：高效率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电和管理系统、服务器和通信设备电源、工业自动化控制电路、汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）以及高功率LED照明驱动电路。此外，该器件也适用于需要高电流开关能力的负载控制应用，如继电器替代和热插拔电源管理。