时间：2025/5/10 15:51:42
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SIG25N60P是一款由Simgui（芯冠科技）推出的增强型N沟道硅 Carbide MOSFET。该器件采用先进的碳化硅（SiC）技术制造，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性。这些特点使其非常适合用于高频开关应用，如电源转换器、逆变器、电机驱动和太阳能逆变器等场景。
相比传统的硅基MOSFET，SIG25N60P的碳化硅材料允许其在更高的温度和电压下工作，同时提供更小的能量损耗，这使得它成为现代高效能功率电子设备的理想选择。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：25A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：90nC
总电容：35pF
最大功耗：300W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
SIG25N60P采用了碳化硅技术，具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：其600V的最大漏源电压使它适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：仅7mΩ的导通电阻能够有效减少导通时的能耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能：得益于其极低的栅极电荷和输出电荷，开关频率可以达到很高的水平，适合高频应用场景。
4. 高温稳定性：能够在最高175℃的结温下稳定运行，适应各种恶劣的工作条件。
5. 小体积与轻量化：由于其高效的热管理和高功率密度设计，使用SIG25N60P的系统可以实现更紧凑的设计。
SIG25N60P广泛应用于需要高效功率转换和高频开关的场合，包括但不限于：
1. 工业电源：如不间断电源（UPS）、开关模式电源（SMPS）等。
2. 新能源领域：太阳能逆变器、风力发电转换系统。
3. 电动车辆：电动汽车的车载充电器、DC-DC转换器、逆变器等。
4. 电机驱动：工业电机驱动器、伺服控制器。
5. 充电器：快速充电器及大功率充电设备。
C2M0250120D, SCS2560K
