时间：2025/5/7 13:12:00
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1N5369B是一种常见的硅雪崩整流二极管，具有高反向电压承受能力，主要用于过压保护、开关电源和脉冲电路等领域。该器件通过雪崩击穿机制来实现高能效的电压箝位功能，确保电路在瞬态高压条件下能够正常运行。
这种二极管的特点是能够在较高的反向电压下工作，并且保持较低的正向压降。其封装形式通常为DO-41或DO-204AD，适合表面贴装或通孔安装应用。
最大反向工作电压：700V
峰值反向电流：5μA（在25℃时）
正向电压：1.1V（IF=1mA时）
平均正向电流：1A
浪涌峰值正向电流：200A（半正弦波，持续时间8.3ms）
结电容：约15pF
功率耗散：60W
工作温度范围：-65℃至+175℃
1N5369B属于高压整流二极管系列，具备以下显著特性：
1. 高反向电压承受能力，适用于各种高压电路场景。
2. 低正向压降，减少功耗并提高效率。
3. 快速恢复时间，使其非常适合高频开关电路。
4. 良好的热稳定性，可以在极端温度范围内可靠运行。
5. 雪崩击穿特性，允许在过压情况下提供额外的保护功能。
这些特点使得1N5369B成为电力电子设备中常用的元器件之一。
1N5369B广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源中的整流与保护功能。
2. 过压保护电路，用于防止瞬态高压损坏敏感元件。
3. 脉冲电路设计，例如触发器、振荡器等。
4. 电机驱动器中的能量回收功能。
5. 逆变器和转换器中的关键元件。
由于其高耐压能力和可靠性，它特别适合于需要处理高电压或瞬态高压的应用场景。
1N5369
1N5369A
MELF封装版本：MBR700VH10
其他厂商类似产品：STMicroelectronics的STP1R7H70B
