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1N5369B 发布时间 时间:2025/5/7 13:12:00 查看 阅读:22

1N5369B是一种常见的硅雪崩整流二极管,具有高反向电压承受能力,主要用于过压保护、开关电源和脉冲电路等领域。该器件通过雪崩击穿机制来实现高能效的电压箝位功能,确保电路在瞬态高压条件下能够正常运行。
  这种二极管的特点是能够在较高的反向电压下工作,并且保持较低的正向压降。其封装形式通常为DO-41或DO-204AD,适合表面贴装或通孔安装应用。

参数

最大反向工作电压:700V
  峰值反向电流:5μA(在25℃时)
  正向电压:1.1V(IF=1mA时)
  平均正向电流:1A
  浪涌峰值正向电流:200A(半正弦波,持续时间8.3ms)
  结电容:约15pF
  功率耗散:60W
  工作温度范围:-65℃至+175℃

特性

1N5369B属于高压整流二极管系列,具备以下显著特性:
  1. 高反向电压承受能力,适用于各种高压电路场景。
  2. 低正向压降,减少功耗并提高效率。
  3. 快速恢复时间,使其非常适合高频开关电路。
  4. 良好的热稳定性,可以在极端温度范围内可靠运行。
  5. 雪崩击穿特性,允许在过压情况下提供额外的保护功能。
  这些特点使得1N5369B成为电力电子设备中常用的元器件之一。

应用

1N5369B广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源中的整流与保护功能。
  2. 过压保护电路,用于防止瞬态高压损坏敏感元件。
  3. 脉冲电路设计,例如触发器、振荡器等。
  4. 电机驱动器中的能量回收功能。
  5. 逆变器和转换器中的关键元件。
  由于其高耐压能力和可靠性,它特别适合于需要处理高电压或瞬态高压的应用场景。

替代型号

1N5369
  1N5369A
  MELF封装版本:MBR700VH10
  其他厂商类似产品:STMicroelectronics的STP1R7H70B

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1N5369B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)51V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 38.8V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)27 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5369BOS