SIG20N60P是一款由Semikron(赛米控)生产的高压功率MOSFET,主要用于高频开关应用。该器件采用了先进的硅工艺技术制造,具有较低的导通电阻和良好的开关特性,适用于工业控制、电源转换以及电机驱动等领域。
这款MOSFET的耐压等级为600V,能够承受较高的反向电压,同时其连续漏极电流额定值为20A,确保在高负载条件下稳定运行。此外,SIG20N60P还具备快速开关速度,有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:20A
栅极-源极电压(最大):±20V
导通电阻(典型值):0.18Ω
总功耗:250W
结温范围:-55℃至+150℃
1. 高耐压能力,支持高达600V的工作电压。
2. 较低的导通电阻(Rds(on)),有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能,适合高频应用环境。
4. 具备优良的热稳定性,在较宽的温度范围内保持高效工作。
5. 小型化封装设计,简化电路布局并节省空间。
6. 提供过流保护功能,增强系统的可靠性和安全性。
7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动器中的逆变桥臂元件。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 能量管理系统中的功率变换电路。
5. 太阳能逆变器中的高频开关组件。
6. 各类电子负载的功率级实现。
7. LED驱动电源及其他高效电能转换场景。
IRFP460, STP20NM60, FDP18N60