LBC856ALT1G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频和高功率密度场景。该器件采用了先进的封装技术以优化散热性能,适合在开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用中提供卓越的效率与可靠性。
这款 GaN 功率晶体管具备快速开关速度和低导通电阻的特点,能够在高频条件下显著降低开关损耗,从而提升整体系统效率。
型号:LBC856ALT1G
类型:增强型 GaN 功率场效应晶体管(e-mode HEMT)
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:2A
导通电阻:130mΩ(典型值)
栅极电荷:4.5nC(典型值)
输入电容:790pF(典型值)
反向恢复时间:无(由于 GaN 技术特性)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
LBC856ALT1G 的主要特性包括:
1. 高效开关能力,能够支持高达几兆赫兹的工作频率,非常适合高频应用。
2. 低导通电阻设计显著减少了传导损耗,提升了系统的整体效率。
3. 内置保护功能如过流保护、短路保护和热关断功能,增强了器件的鲁棒性。
4. 封装形式紧凑,采用符合行业标准的表面贴装封装,便于自动化生产。
5. 热性能优异,能够有效将热量散发到PCB上,保证长时间稳定运行。
6. 没有传统硅基 MOSFET 中的反向恢复问题,进一步降低了开关损耗。
7. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
LBC856ALT1G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 无线充电模块中的功率传输元件。
3. 工业设备中的高频逆变器和电机驱动。
4. 电动车充电桩和其他需要高效率、高功率密度的场合。
5. 可再生能源领域的微型逆变器和电池管理系统。
6. 快速充电适配器,以实现更小体积和更高效率的设计。
LBC856AET1G, LBC856ALT2G