LBC856ALT1G 时间：2025/5/23 18:06:41 阅读：25

LBC856ALT1G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频和高功率密度场景。该器件采用了先进的封装技术以优化散热性能，适合在开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用中提供卓越的效率与可靠性。
　　这款 GaN 功率晶体管具备快速开关速度和低导通电阻的特点，能够在高频条件下显著降低开关损耗，从而提升整体系统效率。

参数

型号：LBC856ALT1G
　　类型：增强型 GaN 功率场效应晶体管（e-mode HEMT）
　　最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：2A
　　导通电阻：130mΩ（典型值）
　　栅极电荷：4.5nC（典型值）
　　输入电容：790pF（典型值）
　　反向恢复时间：无（由于 GaN 技术特性）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LBC856ALT1G 的主要特性包括：
　　1. 高效开关能力，能够支持高达几兆赫兹的工作频率，非常适合高频应用。
　　2. 低导通电阻设计显著减少了传导损耗，提升了系统的整体效率。
　　3. 内置保护功能如过流保护、短路保护和热关断功能，增强了器件的鲁棒性。
　　4. 封装形式紧凑，采用符合行业标准的表面贴装封装，便于自动化生产。
　　5. 热性能优异，能够有效将热量散发到PCB上，保证长时间稳定运行。
　　6. 没有传统硅基 MOSFET 中的反向恢复问题，进一步降低了开关损耗。
　　7. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用

LBC856ALT1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 无线充电模块中的功率传输元件。
　　3. 工业设备中的高频逆变器和电机驱动。
　　4. 电动车充电桩和其他需要高效率、高功率密度的场合。
　　5. 可再生能源领域的微型逆变器和电池管理系统。
　　6. 快速充电适配器，以实现更小体积和更高效率的设计。