时间：2025/8/8 23:59:01
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SIG01-09 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场景。其封装形式为 DPAK（TO-252），便于散热并适用于表面贴装。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：7.7A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 38mΩ（在 Vgs=10V）
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：DPAK（TO-252）
SIG01-09 的核心优势在于其低导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备高电流容量，能够在较高温度下稳定运行，展现出良好的热稳定性。
其先进的沟槽式结构优化了电场分布，提升了开关性能和耐用性。同时，SIG01-09 的栅极驱动设计允许其在较宽的电压范围内稳定工作，使其适用于多种控制电路。
该器件还具备快速开关能力，降低了开关损耗，在高频应用中表现出色。其封装形式 DPAK 提供了良好的热管理能力，适用于需要高效散热的设计。
由于其高可靠性和耐久性，SIG01-09 在工业电源、汽车电子系统、消费类电子产品以及绿色能源解决方案中均有广泛应用。
SIG01-09 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换电路中，包括但不限于同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统、电源管理模块以及 LED 照明驱动电路。此外，其在汽车电子系统中的使用也较为广泛，例如车载充电系统、车身控制模块等。
STB10N60DM2, STD10N60M2, FDPF0880, FDS4410
